【題目】如圖所示,一透明玻璃磚橫截面的上半部分是半徑為R的半圓,下半部分是邊長為2R的正方形,在玻璃磚的左側距離為R處,有一和玻璃磚側面平行的足夠大的光屏。一束單色光沿圖示方向從光屏上的P點射出,從M點射入玻璃磚,恰好經過半圓部分的圓心O,且∠MOA=45°,已知玻璃磚對該單色光的折射率n=,光在真空中的傳播速度為c。
①求該單色光在玻璃磚中發(fā)生全反射的臨界角的正弦值。
②從M點射入玻璃磚到第一次射出玻璃磚,求該單色光在玻璃磚內傳播的時間。
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【題目】小華和小明在“描繪小燈泡伏安特性曲線”的實驗中,將實驗數(shù)據(jù)記錄在下表中:
電壓U/V | 0.00 | 0.20 | 0.40 | 0.70 | 1.00 | 1.30 | 1.70 | 2.10 | 2.50 |
電流I/A | 0.00 | 0.14 | 0.24 | 0.26 | 0.37 | 0.40 | 0.43 | 0.45 | 0.46 |
(1)實驗室有兩種滑動變阻器供選擇:
A.滑動變阻器(阻值范圍0~10 Ω、額定電流3 A)
B.滑動變阻器(阻值范圍0~2 000 Ω、額定電流1 A)
實驗中選擇的滑動變阻器是________.(填寫字母序號)
(2)在圖甲中用筆畫線代替導線,將實驗電路連接完整.________
(3)開關閉合前,滑動變阻器的滑片應滑至________(選填“左”或“右”)端.
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【題目】某容器中盛有水,底部O處發(fā)出的光束中含有a、b兩種色光,在水與空氣界面的折射情況如圖所示。以下判斷正確的是 。
A. 水對a光折射率比水對b光折射率小
B. 在水中a光的速度比b光速度小
C. 在真空中,a光的波長比b光的波長小
D. 增大光束在水中的入射角,界面處折射光先消失的是b光
E. 用同一實驗裝置做光的干涉實驗,屏上相鄰亮條紋中心間距,a光間距比b光大
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【題目】如圖所示,導熱的氣缸固定在水平地面上,用活塞把一定質量的理想氣體封閉在氣缸中,氣缸的內壁光滑,F(xiàn)用水平外力F作用于活塞桿,使活塞緩慢地向右移動,在此過程中如果環(huán)境溫度恒定,下列說法正確的是___________(填正確答案標號。選對1個得2分,選對2個得4分,選對3個得5分。每選錯1個扣3分,最低得分為0分)
A. 每個氣體分子的速率都不變
B. 氣體分子平均動能不變
C. 水平外力F逐漸變大
D. 氣體對外界做功,氣體內能減小
E. 氣體對外界做功,吸收熱量
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【題目】“電子眼”又稱“電子警察”,是“智能交通違章監(jiān)攝管理系統(tǒng)”的俗稱。某種“電子眼”采用硅光電池供電,其原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個電極,P、N是兩塊硅半導體,E區(qū)是兩塊半導體自發(fā)形成的勻強電場區(qū),P的上表面鍍有一層增透膜,光照射到半導體P上,使P內受束縛的電子成為自由電子(不計重力),自由電子經E區(qū)勻強電場從P區(qū)向N區(qū)的電場力作用后到達半導體N,從而產生電動勢,形成電流。下列說法正確的是
A. b電極為硅光電池的正極
B. E區(qū)勻強電場的電場強度方向由N指向P
C. 硅光電池內部的電流方向由P指向N
D. 若將硅光電池移至光照較強處,則其產生的電動勢變小
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【題目】一矩形線圈abcd放在水平面上,線圈中通有如圖所示的恒定電流。在ab邊的右側距ab邊的距離與bc邊的長度相等處,放置水平長直導線MN,MN通有由M到N的電流,在其周圍空間產生磁場,已知載流長直導線周圍磁場的磁感應強度大小為B=kI/r,式中常量k>0,I為電流強度,r為距導線的即離。則( )
A. ad邊不受安培力作用
B. ab邊、cd邊受到的安培力之比為2:1
C. 若水平面光滑,線圈將向右作加速度減小的加速運動
D. 若水平面粗糙,線圈受到向左的摩擦力作用
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【題目】如圖所示,兩塊水平放置的平行金屬板,板長為2d,相距為d.現(xiàn)將一質量為m,電荷量為q的帶電小球以某一水平速度靠近上板下表面的P點射入,剛好從下板邊緣射出,若在兩板間加入豎直向下的勻強電場,再次將該帶電小球以相同速度從P點射入,小球剛好水平向右沿直線運動;若保持電場,再加一垂直紙面的勻強磁場,再次將該帶電小球以相同速度從P點射入,小球剛好垂直打在板上.已知重力加速度為g,則下列說法正確的有
A. 小球從P點射人的初速度為
B. 小球帶正電,所加勻強電場
C. 所加勻強磁場方向垂直紙面向里,
D. 加入勻強磁場后,帶電小球在板間運動時間為
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【題目】如圖所示,空間分布著水平方向的勻強磁場,磁場區(qū)域的水平寬度d=0.4 m,豎直方向足夠長,磁感應強度B=0.5 T。正方形導線框PQMN邊長L=0.4 m,質量m=0.2 kg,電阻R=0.1 Ω,開始時放在光滑絕緣水平板上Ⅰ位置,現(xiàn)用一水平向右的恒力F=0.8 N 拉線框,使其向右穿過磁場區(qū),最后到達Ⅱ位置(MN邊恰好出磁場)。設線框平面在運動中始終保持在豎直平面內,PQ邊剛進入磁場后線框恰好做勻速運動,g取 10 m/s2。求:
(1)線框進入磁場前運動的距離D;
(2)上述整個過程中線框內產生的焦耳熱;
(3)線框進入磁場過程中通過的電量。
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【題目】如圖甲所示,在直角坐標系0≤x≤L區(qū)域內有沿y軸正方向的勻強電場,右側有一個以點(3L,0)為圓心、半徑為L的圓形區(qū)域,圓形區(qū)域與x軸的交點分別為M、N.現(xiàn)有一質量為m、帶電荷量為e的電子,從y軸上的A點以速度v0沿x軸正方向射入電場,飛出電場后從M點進入圓形區(qū)域,此時速度方向與x軸正方向的夾角為30°.不考慮電子所受的重力.
(1) 求電子進入圓形區(qū)域時的速度大小和勻強電場場強E的大小.
(2) 若在圓形區(qū)域內加一個垂直紙面向里的勻強磁場,使電子穿出圓形區(qū)域時速度方向垂直于x軸,求所加磁場磁感應強度B的大小和電子剛穿出圓形區(qū)域時的位置坐標.
(3) 若在電子剛進入圓形區(qū)域時,在圓形區(qū)域內加上圖乙所示變化的磁場(以垂直于紙面向外為磁場正方向),最后電子從N點處飛出,速度方向與進入磁場時的速度方向相同.請寫出磁感應強度B0的大小、磁場變化周期T各應滿足的關系表達式.
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