A. | 公式$E=k\frac{Q}{r^2}$適用于計(jì)算任何電場(chǎng) | |
B. | 由B=$\frac{F}{IL}$可知,磁感應(yīng)強(qiáng)度B與F成正比,與I、L的乘積成反比 | |
C. | 焦耳發(fā)現(xiàn)了電流的熱效應(yīng),定量得出了電能和熱能之間的關(guān)系 | |
D. | 通電導(dǎo)線在某處不受安培力的作用,則該處的磁感應(yīng)強(qiáng)度一定為0 |
分析 公式$E=k\frac{Q}{r^2}$是點(diǎn)電荷場(chǎng)強(qiáng)的計(jì)算式;B反映磁場(chǎng)本身的性質(zhì),與I、L、F無(wú)關(guān);電場(chǎng)基本的性質(zhì)是對(duì)放入其中的電荷有電場(chǎng)力作用;通電導(dǎo)線與磁場(chǎng)平行時(shí)不受安培力.結(jié)合這些知識(shí)進(jìn)行分析.
解答 解:A、公式$E=k\frac{Q}{r^2}$是點(diǎn)電荷場(chǎng)強(qiáng)的計(jì)算式,只適用于點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng);故A錯(cuò)誤.
B、公式B=$\frac{F}{IL}$是磁感應(yīng)強(qiáng)度的定義式,運(yùn)用比值法定義,B反映磁場(chǎng)本身的性質(zhì),與I、L、F無(wú)關(guān);故B錯(cuò)誤.
C、焦耳發(fā)現(xiàn)了電流的熱效應(yīng),定量得出了電能和熱能之間的關(guān)系;故C正確.
D、由于通電導(dǎo)線與磁場(chǎng)平行時(shí)不受安培力,所以通電導(dǎo)線在某處不受安培力的作用,該處的磁感應(yīng)強(qiáng)度不一定為0.故D錯(cuò)誤.
故選:C.
點(diǎn)評(píng) 本題要準(zhǔn)確兩個(gè)公式的適用條件,知道公式中每個(gè)量的含義,知道通電導(dǎo)體在磁場(chǎng)中所受的安培力與導(dǎo)體和磁場(chǎng)方向的夾角有關(guān).要加強(qiáng)基礎(chǔ)知識(shí)的學(xué)習(xí),不在簡(jiǎn)單題目上犯錯(cuò)誤.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 物體在2s末的速度是20m/s | B. | 物體在前2s內(nèi)的位移是20m | ||
C. | 物體在第5s內(nèi)的平均速度是3.6m/s | D. | 物體在前5s內(nèi)的位移是50m |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 橫截面積一定,電阻與導(dǎo)體的長(zhǎng)度成正比 | |
B. | 長(zhǎng)度一定,電阻與導(dǎo)體的橫截面積成正比 | |
C. | 對(duì)于某一確定的導(dǎo)體,電阻與通過(guò)導(dǎo)體的電流成反比 | |
D. | 對(duì)于某一確定的導(dǎo)體,電阻與導(dǎo)體兩端的電壓成正比 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 0~6s加速,加速度大小為2m/s2,6~12s減速,加速度大小為2m/s2 | |
B. | 0~8s,物塊所受摩擦力向右,8~12s物塊所受摩擦力向左 | |
C. | 物塊直到停止全過(guò)程物體在小車(chē)表面劃過(guò)的痕跡長(zhǎng)度為40m | |
D. | 物塊直到停止全過(guò)程物體在小車(chē)表面劃過(guò)的痕跡長(zhǎng)度為24m |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 根據(jù)該圖線乙可求出電源的內(nèi)阻為$\frac{{{E_0}-{U_0}}}{I_0}-{R_0}$,電源的電動(dòng)勢(shì)為E0 | |
B. | 當(dāng)滑動(dòng)變阻器滑片向左做滑動(dòng)時(shí),電流表和電壓表的示數(shù)都增大 | |
C. | 當(dāng)滑動(dòng)變阻器的阻值等于電源的內(nèi)阻時(shí),電源是輸出功率最大 | |
D. | 滑動(dòng)變阻器滑片向左滑動(dòng)時(shí),電壓表和電流表示數(shù)的變化量之比$\frac{△u}{△I}$保持不變 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 有天然規(guī)則的幾何外形的物體一定是晶體 | |
B. | 晶體在物理性質(zhì)上一定是各向異性的 | |
C. | 晶體熔化時(shí)具有一定的熔點(diǎn) | |
D. | 晶體和非晶體在適當(dāng)?shù)臈l件下是可能相互轉(zhuǎn)化的 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | Fcosθ | B. | μ(G+Fsinθ) | C. | $\frac{μG}{1-μtanθ}$ | D. | Fsinθ |
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