一個(gè)質(zhì)量可不計(jì)的活塞將一定量的理想氣體封閉在上端開口的直立圓筒形氣缸內(nèi),活塞上堆放著鐵砂,如圖所示.最初活塞擱置在氣缸內(nèi)壁的固定卡環(huán)上,氣體柱的高度為H0,溫度為T0,壓強(qiáng)等于外界的大氣壓強(qiáng)p0,F(xiàn)對(duì)氣體緩慢加熱,當(dāng)氣體溫度升高了△T時(shí),活塞(及鐵砂)開始離開卡環(huán)而上升.繼續(xù)加熱直到氣柱高度為H1 = 1.5H0.不計(jì)活塞與氣缸之間的摩擦。求:

(1)活塞剛離開卡環(huán)時(shí)氣體的壓強(qiáng)p1

(2)氣柱高度為H1時(shí)的溫度T1。

(1)p1 =

(2)


解析:

(1)活塞剛離開卡環(huán)時(shí)溫度為T0 + △T,則在等容升溫過程

              、   (4分)

得                 p1 =     、  (1分)

(2)設(shè)氣缸的橫截面積為S,從H0上升到H1的過程是等壓升溫過程

                ③  (4分)

                       ④  (1分)

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,一個(gè)質(zhì)量可不計(jì)的活塞將一定量的理想氣體封閉在上端開口的直立圓筒形氣缸內(nèi),活塞上堆放著鐵砂,最初活塞擱置在氣缸內(nèi)壁的固定卡環(huán)上,氣體柱的高度為H0=10cm,氣體的溫度T0=300K,壓強(qiáng)為大氣壓強(qiáng)p0.現(xiàn)對(duì)氣體緩慢加熱,當(dāng)氣體溫度升高到360K時(shí),活塞(及鐵砂)開始離開卡環(huán)而上升,此后在維持溫度不變的條件下緩慢取走鐵砂.已知活塞的橫截面積是20cm2,大氣壓強(qiáng)p0為1×105 Pa,不計(jì)活塞與氣缸之間的摩擦.求:
(1)最初活塞上堆放著的鐵砂的質(zhì)量;
(2)鐵砂全部取走后活塞所能達(dá)到的高度H.

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科目:高中物理 來源: 題型:

一個(gè)質(zhì)量可不計(jì)的活塞將一定量的理想氣體封閉在上端開口的直立圓筒形氣缸內(nèi),活塞上堆放著鐵砂,如圖14-2-9所示,最初活塞擱置在氣缸內(nèi)壁的固定卡環(huán)上,氣體柱的高度為H0,壓強(qiáng)等于大氣壓強(qiáng)p0.現(xiàn)對(duì)氣體緩慢加熱,當(dāng)氣體溫度升高了ΔT=60 K時(shí),活塞(及鐵砂)開始離開卡環(huán)而上升,繼續(xù)加熱直到氣柱高度為H1=1.5H0.此后,在維持溫度不變的條件下逐漸取走鐵砂,直到鐵砂全部取走時(shí),氣柱高度變?yōu)镠2=1.8H0,求此時(shí)氣體的溫度 .(不計(jì)活塞與氣缸之間的摩擦)

圖14-2-9

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科目:高中物理 來源:2010年福建省季延中學(xué)高二下學(xué)期期末考試物理試題 題型:計(jì)算題

(10分)一個(gè)質(zhì)量可不計(jì)的活塞將一定量的理想氣體封閉在上端開口的直立圓筒形氣缸內(nèi),活塞上堆放著鐵砂,如圖所示.最初活塞擱置在氣缸內(nèi)壁的固定卡環(huán)上,氣體柱的高度為H0,溫度為T0,壓強(qiáng)等于外界的大氣壓強(qiáng)p0,F(xiàn)對(duì)氣體緩慢加熱,當(dāng)氣體溫度升高了△T時(shí),活塞(及鐵砂)開始離開卡環(huán)而上升.繼續(xù)加熱直到氣柱高度為H1 = 1.5H0.不計(jì)活塞與氣缸之間的摩擦。求:

(1)活塞剛離開卡環(huán)時(shí)氣體的壓強(qiáng)p1;
(2)氣柱高度為H1時(shí)的溫度T1

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科目:高中物理 來源:2010年福建省高二下學(xué)期期末考試物理試題 題型:計(jì)算題

(10分)一個(gè)質(zhì)量可不計(jì)的活塞將一定量的理想氣體封閉在上端開口的直立圓筒形氣缸內(nèi),活塞上堆放著鐵砂,如圖所示.最初活塞擱置在氣缸內(nèi)壁的固定卡環(huán)上,氣體柱的高度為H0,溫度為T0,壓強(qiáng)等于外界的大氣壓強(qiáng)p0,F(xiàn)對(duì)氣體緩慢加熱,當(dāng)氣體溫度升高了△T時(shí),活塞(及鐵砂)開始離開卡環(huán)而上升.繼續(xù)加熱直到氣柱高度為H1 = 1.5H0.不計(jì)活塞與氣缸之間的摩擦。求:

(1)活塞剛離開卡環(huán)時(shí)氣體的壓強(qiáng)p1;

(2)氣柱高度為H1時(shí)的溫度T1

 

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