A. | 介質(zhì)1的折射率最大 | |
B. | 介質(zhì)2是光密介質(zhì) | |
C. | 光在介質(zhì)2中的速度最大 | |
D. | 當(dāng)入射角由45°逐漸增大時(shí),在介質(zhì)1、介質(zhì)2分界面上可能發(fā)生全反射 |
分析 根據(jù)光路圖,首先判斷出三種介質(zhì)的折射率的大小關(guān)系,可判斷折射率的大小,再結(jié)合光在介質(zhì)中的傳播速度與折射率的關(guān)系v=$\frac{c}{n}$分析光在介質(zhì)中速度的大。晒獍l(fā)生全反射的條件可判知D的正誤.
解答 解:A、由圖可知,光從介質(zhì)1射入介質(zhì)2中折射角大于入射角,則介質(zhì)1、2相比較,n1>n2.光從介質(zhì)2射入介質(zhì)3中折射角小于入射角,則介質(zhì)2、3相比較,n2<n3,據(jù)光的可逆性知,光從2射向1或從2射向3時(shí),入射角相等,從折射角上可判斷n3>n1,所以有n3>n1>n2,即介質(zhì)3折射率最大.故A錯(cuò)誤.
B、由對(duì)A的分析可知,相對(duì)來說,2是光疏介質(zhì),故B錯(cuò)誤.
C、因2的折射率最小,由公式v=$\frac{c}{n}$知,光在介質(zhì)2中的傳播速度最大,故C正確.
D、光從1到2是從光密介質(zhì)到光疏介質(zhì),入射角小于折射角,在入射角逐漸增大時(shí),在此界面上不會(huì)發(fā)生全反射.故D錯(cuò)誤.
故選:C.
點(diǎn)評(píng) 該題是一道考查折射率和全反射的較好的一道題,解答此類問題要注意應(yīng)用光路的可逆性,并且知道光密介質(zhì)和光疏介質(zhì)是相對(duì)的.全反射只有光從光密介質(zhì)射向光疏介質(zhì)時(shí)才能發(fā)生.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 兩次子彈對(duì)滑塊做的功一樣多 | |
B. | 子彈嵌入上層過程中對(duì)滑塊做的功多 | |
C. | 子彈擊中下層過程中,系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量多 | |
D. | 子彈擊中上層過程中產(chǎn)生的熱量多 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 導(dǎo)線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度為$\sqrt{gh}$ | |
B. | 導(dǎo)線框進(jìn)入磁場(chǎng)后,若某一時(shí)刻的速度為v,則加速度為a=$\frac{1}{2}$g-$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{4mR}$ | |
C. | 導(dǎo)線框穿出磁場(chǎng)時(shí)的速度為 $\frac{mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
D. | 導(dǎo)線框通過磁場(chǎng)的過程中產(chǎn)生的熱量Q=8mgh-$\frac{8{m}^{3}{g}^{2}{R}^{2}}{{B}^{4}{L}^{4}}$ |
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