()2邊長為l、粗細(xì)均勻的N匝正方形線圈abcd,總質(zhì)量為m,以水平方向的一邊ab為軸可自由轉(zhuǎn)動,線框處在方向豎直向上的勻強(qiáng)磁場中,如圖所示,當(dāng)線框中通入電流I時,線框轉(zhuǎn)至其平面與豎直方向成q角時達(dá)到平衡,則磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為_________。若可以改變磁場的方向,但通入線框的電流大小、方向不變,仍然要使該線框平衡在圖示位置,則所加勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的最小值為__________。

mgtanq/2NLI,mgsinq/2NLI


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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2005?肇慶模擬)如圖所示,由粗細(xì)相同的導(dǎo)線制成的正方形線框邊長為L,每條邊的電阻均為R,其中ab邊材料的密度較大,其質(zhì)量為m,其余各邊的質(zhì)量均可忽略不計,線框可繞與cd邊重合的水平軸OO′自由轉(zhuǎn)動,不計空氣阻力和摩擦,若線框從水平位置由靜止釋放,經(jīng)歷時間t到達(dá)豎直位置,此時ab邊的速度大小為v,若線框始終處于方向豎直向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中,重力加速度為g.求:
(1)線框至豎直位置時,ab邊兩端的電壓及所受安培力的大小.
(2)在這一過程中,線框中感應(yīng)電流做的功及感應(yīng)電動勢的有效值.
(3)在這一過程中,通過線框?qū)Ь橫截面的電荷量.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2004?江蘇模擬)邊長為L,粗細(xì)均勻的正方形金屬線圈abcd,總電阻為R,質(zhì)量為m,在光滑絕緣的水平面上以初速度v0滑向一有邊界的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,磁場方向豎直向下,如圖(俯視圖)所示.已知線圈全部滑入磁場后速度為v,磁場的寬度大于L.
(1)從ab邊剛進(jìn)入磁場,到cd邊將進(jìn)入磁場前,線圈的運(yùn)動是
B
B

   A.加速運(yùn)動   B.減速運(yùn)動     C.勻速運(yùn)動      D.先加速后勻速
(2)在ab邊已進(jìn)入磁場,cd邊尚未進(jìn)入磁場的某一時刻,線圈的速度為v0/2,求此時線圈中的電流I.
(3)要保持線圈以速度v勻速滑出磁場,需要加一外力F.求所加外力F的大小.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,I、Ⅱ為兩勻強(qiáng)磁場區(qū),I區(qū)域的磁場方向垂直紙面向里,Ⅱ區(qū)域的磁場方向垂直紙面向外,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,兩區(qū)域中間為寬s的無磁場區(qū)Ⅱ.有一粗細(xì)均勻的邊長為L(L>s)、電阻為R的正方形金屬框abcd置于I區(qū)域,ab邊與磁場邊界平行,現(xiàn)拉著金屬框以速度v向右勻速移動.求:
(1)分別求出當(dāng)ab邊剛進(jìn)入中央無磁場區(qū)Ⅱ,和剛進(jìn)入磁場區(qū)Ⅲ時,通過ab邊的電流的大小和方向.
(2)求金屬框從區(qū)域I完全進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅲ過程中拉力所做的功.
(3)若L=s且ab邊初始位置到中央無磁場區(qū)Ⅱ左邊界距離也為L,畫出從開始到cd邊剛進(jìn)入磁場區(qū)Ⅲ的過程中的Uab-t圖象.
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科目:高中物理 來源:2004年江蘇省高考物理模擬試卷(4月份)(解析版) 題型:解答題

邊長為L,粗細(xì)均勻的正方形金屬線圈abcd,總電阻為R,質(zhì)量為m,在光滑絕緣的水平面上以初速度v滑向一有邊界的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,磁場方向豎直向下,如圖(俯視圖)所示.已知線圈全部滑入磁場后速度為v,磁場的寬度大于L.
(1)從ab邊剛進(jìn)入磁場,到cd邊將進(jìn)入磁場前,線圈的運(yùn)動是______
   A.加速運(yùn)動   B.減速運(yùn)動     C.勻速運(yùn)動      D.先加速后勻速
(2)在ab邊已進(jìn)入磁場,cd邊尚未進(jìn)入磁場的某一時刻,線圈的速度為v/2,求此時線圈中的電流I.
(3)要保持線圈以速度v勻速滑出磁場,需要加一外力F.求所加外力F的大小.

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