A、s2>s1 | B、t1>t2 | C、v1>v2 | D、v1=v2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、電子在真空室中做勻速圓周運(yùn)動(dòng) | ||||
B、電子在運(yùn)動(dòng)時(shí)的加速度始終指向圓心 | ||||
C、在丙圖所示的第一個(gè)周期中,電子只能在0~
| ||||
D、在丙圖所示的第一個(gè)周期中,電子在0~
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科目:高中物理 來源: 題型:
B |
2 |
A、質(zhì)子最終將離開區(qū)域Ⅲ在區(qū)域Ⅳ內(nèi)勻速運(yùn)動(dòng) |
B、質(zhì)子最終將一直在區(qū)域Ⅲ內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動(dòng) |
C、質(zhì)子能夠回到初始點(diǎn)A,且周而復(fù)始地運(yùn)動(dòng) |
D、質(zhì)子能夠回到初始點(diǎn)A,且回到初始點(diǎn)前,在區(qū)域Ⅲ中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間是在區(qū)域Ⅰ中運(yùn)動(dòng)時(shí)間的3倍 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、兩個(gè)小球到達(dá)軌道最低點(diǎn)的速度vM<vN | B、兩個(gè)小球第一次經(jīng)過軌道最低點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力FM>FN | C、磁場(chǎng)中a小球能到達(dá)軌道另一端最高處,電場(chǎng)中b小球不能到達(dá)軌道另一端最高處 | D、a小球第一次到達(dá)M點(diǎn)的時(shí)間大于b小球第一次到達(dá)N點(diǎn)的時(shí)間 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、U變大 | B、φp不變 | C、Ep變大 | D、電荷將向上加速 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、P點(diǎn)的電勢(shì)將降低 | B、P帶電油滴的電勢(shì)能將增大 | C、帶電油滴將沿豎直方向向上運(yùn)動(dòng) | D、電容器的電容減小,極板帶電量將增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、0~1s內(nèi)ab、cd導(dǎo)線互相排斥 | B、1~2s內(nèi)ab、cd導(dǎo)線互相吸引 | C、2~3s內(nèi)ab、cd導(dǎo)線互相吸引 | D、3~4s內(nèi)ab、cd導(dǎo)線互相吸引 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、若線圈閉合,進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線圈中感應(yīng)電流方向從上向下看為逆時(shí)針 | B、若線圈閉合,傳送帶以較大速度勻速運(yùn)動(dòng)時(shí),磁場(chǎng)對(duì)線圈的作用力增大 | C、從圖中可以看出,第2個(gè)線圈是不合格線圈 | D、從圖中可以看出,第3個(gè)線圈是不合格線圈 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、一定質(zhì)量的氣體,在體積不變時(shí),分子每秒平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減小 | B、單晶體有固定的熔點(diǎn),多晶體和非晶體沒有固定的熔點(diǎn) | C、熱量能夠自發(fā)地從高溫物體傳遞到低溫物體,但不能自發(fā)地從低溫物體傳遞到高溫物體 | D、當(dāng)分子間的距離增大時(shí),分子之間的引力和斥力均同時(shí)減小,而分子勢(shì)能一定增大 | E、生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時(shí),需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻人其他元素,可以在高溫條件下利用分子的擴(kuò)散來完成. |
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