封閉在氣缸內(nèi)一定質(zhì)量的氣體，如果保持氣體體積不變，當(dāng)溫度升高時(shí)，以下說法正確的是(    )

A.氣體的密度增大                 B.氣體的壓強(qiáng)增大

C.氣體分子的平均動(dòng)能減小         D.每秒撞擊單位面積器壁的氣體分子數(shù)增多

解析：由理想氣體狀態(tài)方程可知，當(dāng)體積不變時(shí)，=常數(shù)，T升高時(shí)，壓強(qiáng)增大，B正確.由于體積不變，分子密度不變，而溫度升高，分子的平均動(dòng)能增加，所以單位時(shí)間內(nèi)，氣體分子對(duì)容器壁碰撞次數(shù)增多，D對(duì)，A、C錯(cuò).

答案：BD

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

封閉在氣缸內(nèi)一定質(zhì)量的理想氣體由狀態(tài)A變到狀態(tài)D，其體積V與熱力學(xué)溫度關(guān)T系如圖所示，該氣體的摩爾質(zhì)量為M，狀態(tài)A的體積為V0，溫度為T0，O、A、D三點(diǎn)在同一直線上，阿伏伽德羅常數(shù)為NA．由狀態(tài)A變到狀態(tài)D過程中（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

封閉在氣缸內(nèi)一定質(zhì)量的理想氣體由狀態(tài)A變到狀態(tài)D，其體積V與熱力學(xué)溫度關(guān)T系如圖所示，該氣體的摩爾質(zhì)量為M，狀態(tài)A的體積為V0，溫度為T0，O、A、D三點(diǎn)在同一直線上，阿伏伽德羅常數(shù)為NA．由狀態(tài)A變到狀態(tài)D過程中 （　　）

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖封閉在氣缸內(nèi)一定質(zhì)量的理想氣體，如果保持氣體體積不變，當(dāng)溫度升高時(shí)，以下說法正確的是（　　）精英家教網(wǎng)
A、氣體的密度增大B、所有氣體分子的運(yùn)動(dòng)速率一定增大C、氣體的壓強(qiáng)增大D、每秒撞擊單位面積器壁的氣體分子數(shù)增多

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科目：高中物理 來源： 題型：

封閉在氣缸內(nèi)一定質(zhì)量的氣體，如果保持氣體體積不變，當(dāng)溫度升高時(shí)（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：閱讀理解

（2009?韶關(guān)二模）（本題供選學(xué)3-3的考生做）
（1）封閉在氣缸內(nèi)一定質(zhì)量的理想氣體，如果保持氣體體積不變，當(dāng)溫度升高時(shí)，氣體的密度
不變
不變
（選填“增大”、“減小”、“不變”），氣體的壓強(qiáng)
增大
增大
（選填“增大”、“減小”、“不變”），氣體分子的平均動(dòng)能
增大
增大
（選填“增大”、“減小”、“不變”），每秒撞擊單位面積器壁的氣體分子數(shù)
增多
增多
（選填“增多”、“減少”、“不變”）
（2）有一塊物質(zhì)薄片，某人為了檢驗(yàn)它是不是晶體，做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，他以薄片的正中央O為坐標(biāo)原點(diǎn)，建立xOy平面直角坐標(biāo)系，在兩個(gè)坐標(biāo)軸上分別取兩點(diǎn)x1和y1，使x1和y1到O點(diǎn)的距離相等．在x1和y1上分別固定一個(gè)測(cè)溫元件，再把一個(gè)針狀熱源放在O點(diǎn)，發(fā)現(xiàn)x1和y1點(diǎn)的溫度在緩慢升高．
甲同學(xué)說：若兩點(diǎn)溫度的高低沒有差異，則該物質(zhì)薄片一定是非晶體．
乙同學(xué)說：若兩點(diǎn)溫度的高低有差異，則該物質(zhì)薄片一定是晶體．
請(qǐng)對(duì)兩位同學(xué)的說法作出評(píng)價(jià)：
①甲同學(xué)的說法是
錯(cuò)
錯(cuò)
（填“對(duì)”或“錯(cuò)”）的，理由是
A．因?yàn)橛行┚w在導(dǎo)熱性上也有可能是各向同性的；B．兩個(gè)特定方向上的同性并不能說明就是各個(gè)方向都同性．
A．因?yàn)橛行┚w在導(dǎo)熱性上也有可能是各向同性的；B．兩個(gè)特定方向上的同性并不能說明就是各個(gè)方向都同性．

②乙同學(xué)的說法是
對(duì)
對(duì)
（填“對(duì)”或“錯(cuò)”）的，理由是
因?yàn)橹挥芯w才具有各向異性
因?yàn)橹挥芯w才具有各向異性
．

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