Question

一塊N型半導體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示．已知其單位體積內的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e．將此元件放在勻強磁場中，磁場方向沿Z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I．
（1）此元件的CC′兩個側面中，哪個面電勢高？
（2）試證明在磁感應強度一定時，此元件的CC′兩個側面的電勢差與其中的電流成正比
（3）磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B 的儀器．其測量方法為：將導體放在勻強磁場之中，用毫安表測量通以電流I，用毫伏表測量C、C，間的電壓U _CC′，就可測得B．若已知其霍爾系數(shù)k=

1

ned

=10mV/mA?T．并測得U_CC′=0.6mV，I=3mA．試求該元件所在處的磁感應強度B的大�。�

Answer 1

（1）電流沿x軸正方向，知電子流動的方向沿x軸負方向，根據(jù)左手定則，知電子向C側面偏轉，所以C側面得到電子帶負電，C′側面失去電子帶正電．故C'面電勢較高．
（2）當電子受力平衡時有：e

U

d

=evB．得U=vBd．電流的微觀表達式I=nevS=nevbd．所以v=Inebd．U=

I

nebd

×Bd=

B

ned

I．知兩個側面的電勢差與其中的電流成正比．
（3）U_CC′=

B

ned

 I，則B=

nedUCC′

I

=

UCC′

KI

=

0.6

10×3

T=0.02T
故該元件所在處的磁感應強度B的大小為0.02T．