K—介予方程為，其中K-介予和介子是帶負(fù)電的基元電荷，介子不帶電。一個(gè)K—介子沿垂直于磁場(chǎng)的方向射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，其軌跡為圓弧AP，衰變后產(chǎn)生的介子的軌跡為圓弧PB，兩軌跡在P點(diǎn)相切，它們的半徑之比為2:1。如圖所示，介子的軌跡未畫出。由此可知介子的動(dòng)量大小與介子的動(dòng)量大小之比為       （    ）

       A．1：1                   B．1：2                   C．1：3                   D．1：6

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：2010年甘肅省高三9月月考物理試題 題型：選擇題

K—介予方程為，其中K-介予和介子是帶負(fù)電的基元電荷，介子不帶電。一個(gè)K—介子沿垂直于磁場(chǎng)的方向射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，其軌跡為圓弧AP，衰變后產(chǎn)生的介子的軌跡為圓弧PB，兩軌跡在P點(diǎn)相切，它們的半徑之比為2:1。如圖所示，介子的軌跡未畫出。由此可知介子的動(dòng)量大小與介子的動(dòng)量大小之比為       （    ）

       A．1：1                   B．1：2                   C．1：3                   D．1：6

 

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科目：高中物理 來源： 題型：

K—介予方程為，其中K-介予和介子是帶負(fù)電的基元電荷，介子不帶電。一個(gè)K—介子沿垂直于磁場(chǎng)的方向射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，其軌跡為圓弧AP，衰變后產(chǎn)生的介子的軌跡為圓弧PB，兩軌跡在P點(diǎn)相切，它們的半徑之比為2:1。如圖所示，介子的軌跡未畫出。由此可知介子的動(dòng)量大小與介子的動(dòng)量大小之比為       （    ）

       A．1：1 B．1：2 C．1：3 D．1：6

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科目：高中物理 來源：2010年甘肅省蘭州一中高三9月月考物理試題 題型：單選題

K—介予方程為，其中K-介予和介子是帶負(fù)電的基元電荷，介子不帶電。一個(gè)K—介子沿垂直于磁場(chǎng)的方向射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，其軌跡為圓弧AP，衰變后產(chǎn)生的介子的軌跡為圓弧PB，兩軌跡在P點(diǎn)相切，它們的半徑之比為2:1。如圖所示，介子的軌跡未畫出。由此可知介子的動(dòng)量大小與介子的動(dòng)量大小之比為      （   ）

A．1：1B．1：2C．1：3D．1：6

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