如圖所示,有一個(gè)正方形的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域abcd,e是ad的中點(diǎn),f是cd的中點(diǎn),如果在a點(diǎn)沿對(duì)角線(xiàn)方向以速度v射入一帶負(fù)電的粒子,最后粒子恰好從e點(diǎn)射出,則(  )
分析:粒子在磁場(chǎng)中由洛倫茲力提供向心力而做勻速圓周運(yùn)動(dòng).由半徑公式r=
mv
qB
,分析速度增大時(shí),半徑如何變化,根據(jù)軌跡,分析粒子將從哪點(diǎn)射出;根據(jù)軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角分析運(yùn)動(dòng)時(shí)間的關(guān)系.
解答:解:
A、如果粒子的速度增大為原來(lái)的二倍,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度不變,由半徑公式r=
mv
qB
可知,半徑將為原來(lái)的2倍,根據(jù)幾何可知,粒子正好從d點(diǎn)射出.故A正確.
B、設(shè)正方形的邊長(zhǎng)為2a,則粒子從e點(diǎn)射出時(shí),軌跡半徑為
2
2
a.如果磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度不變,粒子的速度變?yōu)樵瓉?lái)的3倍,由半徑公式r=
mv
qB
可知,半徑將變?yōu)樵瓉?lái)的3倍,即變
3
2
4
a.粒子軌跡圓心高于cd延長(zhǎng)線(xiàn)上,則由幾何關(guān)系
3
2
4
a-
3
4
a≈0.4a,可知,軌跡離ad最遠(yuǎn)仍小于0.5a,所以粒子從fd之間射出磁場(chǎng).故B錯(cuò)誤.
C、如果粒子的速度不變,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度也變?yōu)樵瓉?lái)的二倍,由半徑公式r=
mv
qB
可知,半徑減小為原來(lái)的
1
2
,因此不可能從d點(diǎn)射出.故C錯(cuò)誤.
D、只改變粒子的速度使其分別從e、d、f三點(diǎn)射出時(shí),軌跡的圓心角是從f點(diǎn)射出時(shí)最小,運(yùn)動(dòng)時(shí)間最短.故D錯(cuò)誤.
故選A
點(diǎn)評(píng):本題要掌握粒子圓周運(yùn)動(dòng)的半徑公式,由幾何關(guān)確定圓心的位置,及由半徑的公式確定半徑的大小,由轉(zhuǎn)過(guò)的角度確定時(shí)間.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2013?開(kāi)封一模)如圖所示,有一個(gè)等腰直角三角形的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,其直角邊長(zhǎng)為L(zhǎng),磁場(chǎng)方向垂直紙面向外,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一邊長(zhǎng)為L(zhǎng)總電阻為R的正方形導(dǎo)線(xiàn)框abcd,從圖示位置開(kāi)始沿x軸正方向以速度v勻速穿過(guò)磁 場(chǎng)區(qū)域.取沿a→b→c→d→a的感應(yīng)電流為正,則表示線(xiàn)框中電流i隨bC邊的位置坐標(biāo)x變化的圖象正確的是( 。

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R2
)沿x軸正方向射入磁場(chǎng),離子從射入到射出磁場(chǎng)通過(guò)了該磁場(chǎng)的最大距離,不計(jì)重力影響.求:
(1)離子在磁場(chǎng)區(qū)域經(jīng)歷的時(shí)間;   
(2)加速電場(chǎng)的加速電壓U.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,有一個(gè)等腰直角三角形的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,其直角邊長(zhǎng)為L(zhǎng),磁場(chǎng)方向垂直紙面向外,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.邊長(zhǎng)為L(zhǎng)、總電阻為R的正方形導(dǎo)線(xiàn)框abcd,從圖示位置開(kāi)始沿x軸正方向以速度v勻速穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域.取沿a→b→c→d→a的感應(yīng)電流為正,則下圖中表示線(xiàn)框中電流i隨bc邊的位置坐標(biāo)x變化的圖象正確的是( 。
A、精英家教網(wǎng)B、精英家教網(wǎng)C、精英家教網(wǎng)D、精英家教網(wǎng)

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科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年北京市海淀區(qū)高三上學(xué)期期末考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

霍爾式位移傳感器的測(cè)量原理如圖所示,有一個(gè)沿z軸方向均勻變化的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=B0+kz(B0、k均為常數(shù))。將霍爾元件固定在物體上,保持通過(guò)霍爾元件的電流I不變(方向如圖所示),當(dāng)物體沿z軸正方向平移時(shí),由于位置不同,霍爾元件在y軸方向的上、下表面的電勢(shì)差U也不同。則(    )

A.磁感應(yīng)強(qiáng)度B越大,上、下表面的電勢(shì)差U越大

B.k越大,傳感器靈敏度()越高

C.若圖中霍爾元件是電子導(dǎo)電,則下板電勢(shì)高

D.電流,越大,上、下表面的電勢(shì)差U越小

 

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科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年北京市海淀區(qū)高三第一學(xué)期期末考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

霍爾式位移傳感器的測(cè)量原理如圖所示,有一個(gè)沿z軸方向均勻變化的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=B0+kz(B0、k均為常數(shù))。將霍爾元件固定在物體上,保持通過(guò)霍爾元件的電流I不變(方向如圖9所示),當(dāng)物體沿z軸正方向平移時(shí),由于位置不同,霍爾元件在y軸方向的上、下表面的電勢(shì)差U也不同。則    (    )

A.磁感應(yīng)強(qiáng)度B越大,上、下表面的電勢(shì)差U越大

B.k越大,傳感器靈敏度()越高

C.若圖中霍爾元件是電子導(dǎo)電,則下板電勢(shì)高

D.電流越大,上、下表面的電勢(shì)差U越小

 

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