(1)設(shè)經(jīng)過加速電場加速后,粒子的速度為v
0,
由動(dòng)能定理得:
qU0=mv02,
解得:v
0=
=1.0×10
5m/s,
由于t=0時(shí)刻偏轉(zhuǎn)電場的場強(qiáng)為零,此時(shí)射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子將勻速穿過電場而以v
0的速度垂直磁場邊界進(jìn)入磁場中,
在磁場中的運(yùn)動(dòng)軌跡為半圓.設(shè)粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為r,
由牛頓第二定律得:qv
0B=m
,解得r=
,
粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離d=2r=0.40m;
(2)設(shè)粒子以最大偏轉(zhuǎn)量離開偏轉(zhuǎn)電場,即軌跡經(jīng)過金屬板右側(cè)邊緣處,
進(jìn)入磁場時(shí)a、b板的電壓為U
m,則粒子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場后,加速度a=
,
在水平方向 L=v
0t,在豎直方向 y=
at
2,
解得
Um==25v<50v;
電壓U
m=25V時(shí)對(duì)應(yīng)粒子進(jìn)入磁場的速度最大,
設(shè)最大速度大小為v
m,方向與OO′的夾角為q,
則對(duì)于粒子通過加速電場和偏轉(zhuǎn)電場的過程,
由動(dòng)能定理得:qU
0+q=
mv
m ,
解得v
m=
=×10
5m/s=1.1×10
5m/s,
tanθ=
=,即θ=arctan
,
(或cosθ=
=,即θ=arccos
)
(3)設(shè)任意時(shí)刻進(jìn)入磁場的粒子,其進(jìn)入磁場時(shí)速度方向與OO′的夾角為α,
則其速度大小 v=
,
粒子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑 R=
=,
由如圖答-3所示的幾何關(guān)系可知,粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離
x=2Rcosα=
=,
所以要增大粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離x,應(yīng)該減小勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B,或增大加速電壓U
0;
答:(1)t=0時(shí)刻射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離為0.4m.
(2)粒子進(jìn)入磁場時(shí)的最大速度為1.1×10
5m/s.
(3)增大粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離x,應(yīng)該減小勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B,或增大加速電壓U
0.