在xoy坐標平面內(nèi)存在著如圖所示的有理想邊界的勻強電場和勻強磁場,在x<-2d的區(qū)域內(nèi)勻強電場的場強為E、方向沿+x軸方向,在-2d<x<0的區(qū)域內(nèi)勻強電場的場強為E、方向沿+y軸方向,在x>0的區(qū)域內(nèi)勻強磁場的磁感應強度的大小為,方向垂直于該平面向外。一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的微粒從x軸上的x=-3d處由靜止釋放,經(jīng)過-2d<x<0的勻強電場區(qū)域后進入勻強磁場。求:

(1)微粒到達x=-2d處的速度;

(2)微粒離開電場時沿y軸正方向上的位移;

(3)微粒第一次打到x軸上的坐標。

解:(1)微粒在的區(qū)域內(nèi)

    ①(2分)

得微粒在處的速度

    ②(1分)

(2)微粒在的區(qū)域內(nèi)x軸方向上做勻速運動

          ③(1分)

Y軸正方向上做初速度為零的勻加速直線運動

沿y軸正方向上的位移                     ④(2分)

由②③④式可得Y=d                                     ⑤(1分)

(3)經(jīng)過y軸時,沿y軸正方向上的速度      ⑥(1分)

由②③⑤式可得                                 ⑦(1分)

微粒進入磁場時的速度方向與x軸成45°角      ⑧(1分)

微粒進入磁場后做勻速圓周運動

                                          ⑨(2分)

得微粒做勻速圓周運動的半徑R=                 ⑩(1分)

其軌跡如圖所示,由幾何關(guān)系得微粒第一次打到x軸上的坐標是

                                             (1分)

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

在xoy坐標平面內(nèi)存在著如圖所示的有理想邊界的勻強電場和勻強磁場,在x<-2d的區(qū)域內(nèi)勻強電場的場強為E、方向沿+x軸方向,在-2d<x<0的區(qū)域內(nèi)勻強電場的場強為E、方向沿+y軸方向,在x>0的區(qū)域內(nèi)勻強磁場的磁感應強度的大小為
2Em
qd
,方向垂直于該平面向外.一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的微粒從x軸上的x=-3d處由靜止釋放,經(jīng)過-2d<x<0的勻強電場區(qū)域后進入勻強磁場.求:
(1)微粒到達x=-2d處的速度;
(2)微粒離開電場時沿y軸正方向上的位移;
(3)微粒第一次打到x軸上的坐標.

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

在xoy坐標平面內(nèi)存在著如圖所示的有理想邊界的勻強電場和勻強磁場,在x<-2d的區(qū)域內(nèi)勻強電場的場強為E、方向沿+x軸方向,在-2d<x<0的區(qū)域內(nèi)勻強電場的場強為E、方向沿+y軸方向,在x>0的區(qū)域內(nèi)勻強磁場的磁感應強度的大小為
2Em
qd
,方向垂直于該平面向外.一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的微粒從x軸上的x=-3d處由靜止釋放,經(jīng)過-2d<x<0的勻強電場區(qū)域后進入勻強磁場.求:
(1)微粒到達x=-2d處的速度;
(2)微粒離開電場時沿y軸正方向上的位移;
(3)微粒第一次打到x軸上的坐標.
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科目:高中物理 來源: 題型:

在xoy坐標平面內(nèi)存在著如圖所示的有理想邊界的勻強電場和勻強磁場,在x<-2d的區(qū)域內(nèi)勻強電場的場強為E、方向沿+x軸方向,在-2d<x<0的區(qū)域內(nèi)勻強電場的場強為E、方向沿+y軸方向,在x>0的區(qū)域內(nèi)勻強磁場的磁感應強度的大小為,方向垂直于該平面向外。一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的微粒從x軸上的x=-3d處由靜止釋放,經(jīng)過-2d<x<0的勻強電場區(qū)域后進入勻強磁場。求:

(1)微粒到達x=-2d處的速度;

(2)微粒離開電場時沿y軸正方向上的位移;

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