下列關(guān)于電場強度的說法中,正確的是(   )
A.公式只適用于真空中點電荷產(chǎn)生的電場
B.由公式可知,電場中某點的電場強度E與試探電荷在電場中該點所受電場力成正比
C.在公式中,是點電荷Q2產(chǎn)生的電場在點電荷Q1處的場強大。是點電荷Q1產(chǎn)生的電場在點電荷Q2處的場強大小
D.由公式可知,在離點電荷非?拷牡胤剑╮→0),電場強度E可達(dá)無窮大
C

試題分析:公式為電場強度的定義式,適用于任何情形,故選項A錯誤;電場中某點的場強與電場本身有關(guān),與試探電荷的電量和所受電場力無關(guān),故選項B錯誤;由庫侖定律與電場強度的定義式可知選項C正確;當(dāng)所選的點離帶電體很近時,帶電體不能看成點電荷,點電荷的場強公式公式不再成立,故選項D錯誤.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源:不詳 題型:填空題

(18分)(1)如圖所示為一塊長為a,寬為b,厚為c的金屬霍爾元件放在直角坐標(biāo)系中,電流為I,方向沿x軸正方向,強度為B的勻強磁場沿y軸正方向,單位體積內(nèi)自由電子數(shù)為,自由電子的電量為e,與z軸垂直的兩個側(cè)面有穩(wěn)定的霍爾電壓。則          電勢高(填“上表面”或“下表面”),霍爾電壓=            。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,分別在M、N兩點固定放置兩個點電荷+Q和-q (Q>q) ,以MN連線的中點O為圓心的圓周上有A、B、C、D四點。下列說法中正確的是

A.A點場強大于B點場強
B.C點場強與D點場強相同
C.A點電勢小于B點電勢
D.將某正電荷從C點移到O點,電場力做負(fù)功

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

下列說法正確的是
A.電勢公式只適用于點電荷產(chǎn)生電場
B.電場中某一點的電場強度大小與放入電場中的檢驗電荷的電量多少有關(guān)
C.電容公式只適用于平行板電容器
D.點電荷是一種理想化的物理模型

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

對于由點電荷Q產(chǎn)生的電場,下列說法正確的是
A.電場強度的表達(dá)式為式中的Q就是產(chǎn)生電場的點電荷所帶電荷量
B.在真空中,點電荷產(chǎn)生電場強度的表達(dá)式為,式中Q就是產(chǎn)生電場的點電荷所帶電荷量
C.在真空中,式中Q是試探電荷所帶電荷量
D.點電荷產(chǎn)生電場強度的表達(dá)式E=,與是否真空無關(guān)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,在兩等量異種點電荷的電場中,MN為兩電荷連線的中垂線,a、b、c三點所在直線平行于兩電荷的連線,且a與c關(guān)于MN對稱,b點位于MN上,d點位于兩電荷的連線上。則以下判斷正確的是
A.b點場強大于d點場強
B.b點電勢高于d點電勢
C.試探電荷+q在a點的電勢能小于在c點的電勢能
D.a(chǎn)、b兩點的電勢差等于b、c兩點的電勢差

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

真空中Ox坐標(biāo)軸上的某點有一個點電荷Q,坐標(biāo)軸上A、B兩點的坐標(biāo)分別為0.2m和0.7m。在A點放一個帶正電的試探電荷,在B點放一個帶負(fù)電的試探電荷,A、B兩點的試探電荷受到電場力的方向都跟x軸正方向相同,電場力的大小F跟試探電荷電量q的關(guān)系分別如圖中直線a、b所示。下列說法正確的是(    )

A.B點的電場強度大小為0.25N/C
B.A點的電場強度的方向沿x軸負(fù)方向
C.點電荷Q是正電荷
D.點電荷Q的位置坐標(biāo)為0.3m

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,兩等量異種電荷分別位于A、B兩點,其中A處電荷為正電荷,過O點做AB連線的垂線,已知AO>BO,M、N是垂線上的兩點,則下列說法中正確的是:

A.M點場強大于N點場強
B.M點電勢低于N點電勢
C.一個負(fù)的試探電荷在M點電勢能大于在N點電勢能
D.一個正的試探電荷在M點電勢能大于在N點電勢能

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖幾種典型的電場,其中a、b兩點電場強度和電勢均相等的是(  )

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案