如圖所示,在平面直角坐標系xOy平面內(nèi),有以(,0)為圓心、半徑為的圓形勻強磁場區(qū)域,磁場的磁感應(yīng)強度大小為B,方向垂直于xOy平面向里。在的上方足夠大的范圍內(nèi),有沿x軸負方向的勻強電場,電場強度的大小為。從點向偏右的不同方向發(fā)射速度大小相同的質(zhì)子,質(zhì)子的運動軌跡均在xOy平面內(nèi)。已知質(zhì)子在磁場中運動的軌道半徑也為,質(zhì)子的電荷量為,質(zhì)量為,不計質(zhì)子的重力及所受的阻力。
(1)求質(zhì)子射入磁場時的速度大小。
(2)若質(zhì)子的速度方向與x軸正方向成θ =30°角(如圖所示)射入磁場,試求該質(zhì)子到達y軸的位置。
(1)eBr/m(2)r+ Br
(1)設(shè)質(zhì)子的速度大小為v,質(zhì)子射入磁場后做勻速圓周運動,有: evB=mv2/r
解得: v=eBr/m (5分)
(2)由題意知,質(zhì)子在磁場中轉(zhuǎn)過120°角后從A點沿y軸方向離開磁場,并從P點垂直電場線進入電場,在電場中做類平拋運動,如圖所示。
P點距y軸的距離為 : x=r+rsin30°=1.5r (10分)
質(zhì)子從進入電場直至到達y軸的過程中,設(shè)運動時間為t,
有: =mα
x=αt2/2
y= vt
解得:t=, y= Br (16分)
質(zhì)子到達y軸的位置為: y /=r+ y= r+ Br (18分)
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