（18分）如圖所示，離子源A產(chǎn)生的初速度為零、帶電荷量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速度電場加速后勻速通過準直管，垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場，偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場，經(jīng)過一段勻速直線運動，垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場．已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°.(忽略離子所受重力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角Φ；

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑；

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處，質(zhì)量為16 m的離子打在S2處，求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍．

【解析】　(1)得E0＝U0/d

由tan Φ＝得Φ＝45°

(2)由

得R＝2

(3)將4m和16m代入R，得R1、R2.

由Δs＝－R1，

將R1、R2代入得Δs＝4( －1)

由R′2＝(2R1)2＋(R′－R1)2

得R′＝R1

由R1＜R＜R1

得m＜mx＜25m

【答案】　(1)　45°

(2)2

(3)4(－1)　m＜mx＜25m

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q
m
與x關(guān)系，下列那一幅正確（　�。�
A、精英家教網(wǎng)
B、精英家教網(wǎng)
C、精英家教網(wǎng)
D、精英家教網(wǎng)

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（1）求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角φ；

（2）求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑；

（3）若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處，質(zhì)量為16m的離子打在S2處。求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍。

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如圖所示，離子源A產(chǎn)生的初速度為零、帶電荷量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速度電場加速后勻速通過準直管，垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場，偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場，經(jīng)過一段勻速直線運動，垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場．已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°.（忽略離子所受重力）

（1）求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角Φ；

（2）求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑；

（3）若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處，質(zhì)量為16 m的離子打在S2處，求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍．

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如圖所示，離子源A產(chǎn)生的初速度為零、帶電荷量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速度電場加速后勻速通過準直管，垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場，偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場，經(jīng)過一段勻速直線運動，垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°。（忽略離子所受重力）
（1）求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角Φ；
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