E |
R |
B2a2v2 |
R |
(mgsinθ-μmgcosθ)R |
B2a2 |
1 |
2 |
v | 2 1 |
1 |
2 |
v | 2 2 |
|
1 |
2 |
v | 2 0 |
1 |
2 |
v | 2 1 |
15m3g2R2 |
2B4a4 |
(mgsinθ-μmgcosθ)R |
B2a2 |
15m3g2R2 |
2B4a4 |
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,一平直絕緣斜面足夠長,與水平面的夾角為θ;空間存在著磁感應(yīng)強度大小為B,寬度為L的勻強磁場區(qū)域,磁場方向垂直斜面向下;一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動,線框向上滑動離開磁場時的速度剛好是剛進入磁場時速度的1/4,離開磁場后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離,然后沿斜面滑下并勻速進入磁場.已知正方形線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)為μ.求:
(1)線框沿斜面下滑過程中勻速進入磁場時的速度v2.
(2)線框在沿斜面上滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,一平直絕緣斜面足夠長,與水平面的夾角為θ;空間存在著磁感應(yīng)強度大小為B,寬度為L的勻強磁場區(qū)域,磁場方向垂直斜面向下;一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動,線框向上滑動離開磁場時的速度剛好是剛進入磁場時速度的1/4,離開磁場后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離,然后沿斜面滑下并勻速進入磁場.已知正方形線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)為μ.求:
(1)線框沿斜面下滑過程中勻速進入磁場時的速度v2.
(2)線框在沿斜面上滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.
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科目:高中物理 來源:2011屆黑龍江省哈爾濱六中高三上學期期末考試物理試卷 題型:計算題
如圖所示,一平直絕緣斜面足夠長,與水平面的夾角為θ;空間存在著磁感應(yīng)強度大小為B,寬度為L的勻強磁場區(qū)域,磁場方向垂直斜面向下;一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動,線框向上滑動離開磁場時的速度剛好是剛進入磁場時速度的1/4,離開磁場后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離,然后沿斜面滑下并勻速進入磁場.已知正方形線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)為μ.求:
(1)線框沿斜面下滑過程中勻速進入磁場時的速度v2.
(2)線框在沿斜面上滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.
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科目:高中物理 來源:2010-2011學年黑龍江省高三上學期期末考試物理試卷 題型:計算題
如圖所示,一平直絕緣斜面足夠長,與水平面的夾角為θ;空間存在著磁感應(yīng)強度大小為B,寬度為L的勻強磁場區(qū)域,磁場方向垂直斜面向下;一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動,線框向上滑動離開磁場時的速度剛好是剛進入磁場時速度的1/4,離開磁場后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離,然后沿斜面滑下并勻速進入磁場.已知正方形線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)為μ.求:
(1)線框沿斜面下滑過程中勻速進入磁場時的速度v2.
(2)線框在沿斜面上滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.
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