(1)N與P之間的高度差h2;
(2)在整個運動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱。
解:(1)在穿過N的過程中
線框中產(chǎn)生的電動勢E=2BLv1
線框中產(chǎn)生的電流I=E/R=2BLv1/R
線框受到的安培力F=2BIL=4B2L2v1/R
由平衡得mg=4B2L2v1/R
v1=mgR/4B2L2
同理線框穿過P過程中的運動速度
v2=mgR/B2L2
由機械能守恒定律得mg(h2-L)=mv22/2-mv12/2
得h2=L+(v22-v12)/2g
=L+15m2gR2/32B4L4
(2)穿過M時產(chǎn)生的電熱Q1=mgh1-mv12/2
=mgh1-m3g2R2/32B4L4
穿過N或P時產(chǎn)生的電熱為Q2=mgL
共產(chǎn)生熱量為Q=Q1+2Q2
=2mgL+mgh1-m3g2R2/32B4L4。
科目:高中物理 來源:廣西桂林市第十八中學(xué)2011-2012學(xué)年高二下學(xué)期期中考試物理理科試題 題型:013
如圖,在光滑水平面上,有一豎直向下的勻強磁場,分布在寬為a的區(qū)域內(nèi),現(xiàn)有一邊長為L(a>L)的正方形閉和線框以垂直于磁場邊界的初速度v0滑過磁場.線框剛好能穿過磁場.則線框在滑進(jìn)磁場過程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場過程產(chǎn)生的熱量Q2之比為
A.1∶1
B.2∶1
C.3∶1
D.4∶1
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖,在光滑水平面上,有一豎直向下的勻強磁場,分布在寬為a的區(qū)域內(nèi),現(xiàn)有一邊長為L(a>L)的正方形閉和線框以垂直于磁場邊界的初速度v0滑過磁場.線框剛好能穿過磁場.則線框在滑進(jìn)磁場過程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場過程產(chǎn)生的熱量Q2之比為
A、1:1 B、2:1 C、3:1 D、4:1
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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年廣西桂林市高二下學(xué)期期中考試(理)物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖,在光滑水平面上,有一豎直向下的勻強磁場,分布在寬為a的區(qū)域內(nèi),現(xiàn)有一邊長為L(a>L)的正方形閉和線框以垂直于磁場邊界的初速度v0滑過磁場.線框剛好能穿過磁場.則線框在滑進(jìn)磁場過程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場過程產(chǎn)生的熱量Q2之比為
A、1:1 B、2:1 C、3:1 D、4:1
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科目:高中物理 來源:廣西自治區(qū)期中題 題型:單選題
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科目:高中物理 來源:2012屆廣西桂林市第十八中學(xué)高二下學(xué)期期中考試(理)物理試卷(帶解析) 題型:單選題
如圖,在光滑水平面上,有一豎直向下的勻強磁場,分布在寬為a的區(qū)域內(nèi),現(xiàn)有一邊長為L(a>L)的正方形閉和線框以垂直于磁場邊界的初速度v0滑過磁場.線框剛好能穿過磁場.則線框在滑進(jìn)磁場過程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場過程產(chǎn)生的熱量Q2之比為
A.1:1 | B.2:1 | C.3:1 | D.4:1 |
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