假設(shè)在某電場中沿x軸方向上，電勢φ與x 的距離關(guān)系如圖所示，其中x4－x3=x6－x5�，F(xiàn)有一個電子在電場中僅受電場力作用移動，則下列關(guān)于電場和電子能量說法正確的是

A．區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向的電場強度均勻減小

B．x6~x7內(nèi)沿x軸方向場強為零

C．若電子從電勢為2V的x1位置向右移動到電勢為2V的x7位置，為了通過電勢為3V的x2位置，電子至少應(yīng)具有1eV的初動能

D．電子在區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向所受電場力大于區(qū)域x5~x6內(nèi)沿x軸方向所受電場力

 

【答案】

BD

【解析】

試題分析: x3到x4區(qū)域內(nèi)電勢隨著位移均勻增大，故電場強度在x方向沒有分量不變，即存在著沿x方向的勻強電場，故A錯；從x6到x7區(qū)域電勢不變，故x6到x7區(qū)域之間電場強度在x方向沒有分量，即不存在沿x方向的電場，故B正確；從1到2電場力做正功，動能增加1eV，從3到4電場力做負(fù)功，動能要減少3eV,若電子從電勢為2V的x1位置向右到電勢為2V的x7位置，電子至少具有初動能2eV，故C錯誤；x4－x3=x6－x5，而U34>U65，所以區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向電場強度大于區(qū)域x5~x6內(nèi)沿x軸方向電場強度，所以電子在區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向所受電場力大于區(qū)域x5~x6內(nèi)沿x軸方向所受電場力，故D對。

考點：勻強電場中電勢差和電場強度的關(guān)系；電場強度；電勢

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)（1）判斷以下說法的正誤，在相應(yīng)的括號內(nèi)打“√”或“×”
A．光速不變原理是狹義相對論的兩個基本假設(shè)之一
 

B．拍攝玻璃櫥窗內(nèi)的物品時，往往在鏡頭前加一個偏振片以增加透射光的強度
 

C．光在介質(zhì)中的速度大于光在真空中的速度
 

D．變化的電場一定產(chǎn)生變化的磁場；變化的磁場一定產(chǎn)生變化的電場
 

（2）如圖1所示，某同學(xué)用插針法測定一半圓形玻璃磚的折射率．在平鋪的白紙上垂直紙面插大頭針P1、P2確定入射光線，并讓入射光線過圓心O，在玻璃磚（圖中實線部分）另一側(cè)垂直紙面插大頭針P3，使P3擋住P1、P2的像，連接O P3．圖中MN為分界面，虛線半圓與玻璃磚對稱，B、C分別是入射光線、折射光線與圓的交點，AB、CD均垂直于法線并分別交法線于A、D點． 設(shè)AB的長度為l1，AO的長度為l2，CD的長度為l3，DO的長度為l4，為較方便地表示出玻璃磚的折射率，需用刻度尺測量
 
（用上述給出量的字母表示），則玻璃磚的折射率可表示為
 
．
（3）如圖2所示是一列沿x軸正方向傳播的簡諧橫波在t=0時刻的波形圖，已知波的傳播速度v=2m/s．試回答下列問題：
①寫出x=1.0m處質(zhì)點的振動函數(shù)表達式；
②求出x=2.5m處質(zhì)點在0～4.5s內(nèi)通過的路程及t=4.5s時的位移．

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)假設(shè)空間某一靜電場的電勢φ隨x變化情況如圖所示．根據(jù)圖中信息可以確定下列說法正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

在光滑水平面上，以O(shè)點為原點，在該水平面內(nèi)建立坐標(biāo)軸Ox，假設(shè)空間某一范圍內(nèi)有一沿x軸方向的電場，電場E與所在位置的x坐標(biāo)有關(guān)，E（x）=-αx其中α=100V/m2，x的單位為m．有一質(zhì)量m=3×10-4kg、電量q=2×10-6C 的帶正電小球，在x=4cm處由靜止被釋放．下列對小球的運動判斷中正確的是（　�。�
A、小球在x=0處的加速度為零B、小球在x=1cm處受力的大小為2×10-6N，方向為沿x軸正方向C、小球只能在x=-4cm到x=4cm之間運動D、小球在x=0處的電勢能最大

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科目：高中物理 來源： 題型：

假設(shè)在某電場中沿x軸方向上，電勢φ與x的距離關(guān)系如圖所示，其中x4－x3=x6－x5�，F(xiàn)有一個電子在電場中僅受電場力作用移動，則下列關(guān)于電場和電子能量說法正確的是

A．區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向的電場強度均勻減小

B．x6~x7內(nèi)沿x軸方向場強為零

C．若電子從電勢為2V的x1位置向右移動到電勢為2V的x7位置，為了通過電勢為3V的x2位置，電子至少應(yīng)具有1eV的初動能

D．電子在區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向所受電場力大于區(qū)域x5~x6內(nèi)沿x軸方向所受電場力

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