-個位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合導(dǎo)體框,其上下兩條邊水平,從靜止幵始下落一定高度后,穿越一個磁感線沿水平方向且與線圈平面垂直的有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域,該區(qū)域上下邊界也水平.下圖是自導(dǎo)體框幵始下落到完全穿越磁場區(qū)域的過程中,導(dǎo)體框的感應(yīng)電流、受到的安培力及運動速度隨時間變化的圖象,其中可能正確的是:(線圈始終在豎直平面內(nèi)運動,且忽略空氣阻力的影響)( )
A.
B.
C.
D.
【答案】分析:分析導(dǎo)體框進(jìn)入磁場后所做的可能的運動,進(jìn)行判斷和選擇.安培力在電磁感應(yīng)現(xiàn)象中是阻力,總與導(dǎo)體相對于磁場的運動方向相反,安培力大小與速度成正比,根據(jù)牛頓第二定律分析線框加速度的變化情況,就判斷速度圖象斜率的變化情況.
解答:解:A、若導(dǎo)體框進(jìn)入磁場后安培力與重力平衡而做勻速直線運動,感應(yīng)電流保持不變,完全進(jìn)入磁場后,磁通量不變,沒有感應(yīng)電流產(chǎn)生,穿出磁場的過程中,由于速度大于進(jìn)入時的速度,線框所受的安培力大于重力,線框?qū)⒆鰷p速運動,速度減小,安培力也減小,線框的加速度也減小,電流減小變慢,斜率變。掖┏雠c進(jìn)入磁場兩個過程磁通量變化情況,產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反,所以A是可能的.故A正確.
B、線框下落過程中,受到的安培力總是阻力,與線框的運動方向相反,則進(jìn)入和空出磁場過程安培力方向相同,符號相同.故B錯誤.
C、D線框進(jìn)入磁場過程,若重力大于安培力,線框?qū)⒆黾铀龠\動,隨著速度的增大,安培力增大,加速度將減小,速度圖象的斜率將減。蔆D均錯誤.
故選A
點評:本題關(guān)鍵要有分析線框的受力情況和運動情況的能力,抓住安培力是阻力,其方向總與導(dǎo)體相對于磁場的速度成正比是關(guān)鍵.
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,AC、BC為位于豎直平面內(nèi)的兩根光滑細(xì)桿,A、B、C恰好位于同一圓周上,C為最低點,a、b為套在細(xì)桿上的兩個小環(huán),當(dāng)兩環(huán)同時從A、B兩點由靜止開始自由下滑時,下面正確的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,AC、BC為位于豎直平面內(nèi)的兩根光滑細(xì)桿,A、B、C三點恰位于同一圓周上,C為該圓周的最低點,O為圓心.a(chǎn)、b為套在細(xì)桿上的兩個小環(huán),現(xiàn)讓兩環(huán)同時由A、B兩點從靜止開始下滑,則( 。

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(2011?溫州二模)-個位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合導(dǎo)體框,其上下兩條邊水平,從靜止幵始下落一定高度后,穿越一個磁感線沿水平方向且與線圈平面垂直的有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域,該區(qū)域上下邊界也水平.下圖是自導(dǎo)體框幵始下落到完全穿越磁場區(qū)域的過程中,導(dǎo)體框的感應(yīng)電流、受到的安培力及運動速度隨時間變化的圖象,其中可能正確的是:(線圈始終在豎直平面內(nèi)運動,且忽略空氣阻力的影響)( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的固定半徑為R的光滑圓環(huán)軌道,圓環(huán)軌道與水平面相切于M點,與豎直墻相切于A點,豎直墻上另一點B與M的連線和水平面的夾角為600,C是圓環(huán)軌道的圓心,D是圓環(huán)上與M靠得很近的一點(DM遠(yuǎn)小于CM).已知在同一時刻:a、b兩球分別由A、B兩點從靜止開始沿光滑傾斜直軌道運動到M點;c球由C點自由下落到M點;d球從D點靜止出發(fā)沿圓環(huán)運動到M點.則a、b、c、d四個小球最先到達(dá)M點的球是
 
球.重力加速度取為g,d球到達(dá)M點的時間為
 

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