將一電荷量為+Q的小球放在不帶電的金屬球附近,所形成的電場線分布如圖所示,金屬球表面的電勢處處相等.a(chǎn)、b為電場中的兩點,則( )
A.a(chǎn)點的電場強度比b點的大
B.a(chǎn)點的電勢比b點的高
C.檢驗電荷-q在a點的電勢能比在b點的大
D.將檢驗電荷-q從a點移到b點的過程中,電場力做負功
科目:高中物理 來源: 題型:
A、a點的電場強度比b點小 | B、a點的電勢比b點的低 | C、檢驗電荷-q在a點的電勢能比在b點的大 | D、將檢驗電荷-q從a點移到b點的過程中,電場力做負功 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、電荷Q帶負電 | B、a點的電場強度比b點的小 | C、a點的電勢比b點的高 | D、檢驗電荷-q在a點的電勢能比在b點的大 |
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科目:高中物理 來源:江蘇省西亭高級中學2007屆高三物理綜合試卷 題型:038
如圖所示的豎直平面內有范圍足夠大、水平向左的勻強電場,在虛線的左側有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感強度大小為B,一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內,PQ、MN水平且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側,P、M點在磁場邊界線上,NMAP段光滑,PQ段粗糙.現(xiàn)在有一質量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受電場力為重力的倍.現(xiàn)將小環(huán)從M點右側的D點由靜止釋放,小環(huán)剛好能到達P點.
(1)求DM間距離x0;
(2)求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大;
(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等),現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側4R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:高考物理特級老師精編點睛 人教版 人教版 題型:038
如圖所示的豎直平面內有范圍足夠大、水平向左的勻強電場,在虛線的左側有垂直紙面向里的水平的勻強磁場,磁感強度大小為B,一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內,PQ、MN水平且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側,P、M點在磁場邊界線上,NMANP段光滑,PQ段粗糙.現(xiàn)在有一質量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受電場力為重力的倍.現(xiàn)將小環(huán)從M點右側的D點由靜止釋放,小環(huán)剛好能到達P點.
(1)求DM間距離x0;
(2)求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大;
(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等),現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側4R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:2013-2014學年高考物理大二輪復習與測試:計算題題型分析與增分策略(解析版) 題型:計算題
如圖所示的豎直平面內有范圍足夠大、水平向左的勻強電場,在虛線的左側有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應強度大小為B,一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內,PQ、MN水平且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側,P、M點在磁場邊界線上,NMAP段光滑,PQ段粗糙.現(xiàn)有一質量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的1/2.現(xiàn)將小環(huán)從M點右側的D點由靜止釋放,小環(huán)剛好能到達P點.
(1)求D、M間距離x0;
(2)求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大;
(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等),現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側5R處由靜止釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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