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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強(qiáng)方向水平向左的勻強(qiáng)電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點(diǎn)由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達(dá)P點(diǎn),求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點(diǎn)時彎桿對小環(huán)作用力的大。
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源: 題型:
(10分)如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強(qiáng)方向水平向左的勻強(qiáng)電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點(diǎn)由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達(dá)P點(diǎn),求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點(diǎn)時彎桿對小環(huán)作用力的大;
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年遼寧省撫順市六校聯(lián)合體高三上期中考試物理試卷(解析版) 題型:計算題
)一絕緣“⊂”形桿由兩段相互平行的足夠長的水平直桿PQ、MN和一半徑為R的光滑半圓環(huán)MAP組成,固定在豎直平面內(nèi),其中MN桿是光滑的,PQ桿是粗糙的.現(xiàn)將一質(zhì)量為m的帶正電荷的小環(huán)套在MN桿上,小環(huán)所受的電場力為重力的.
(1)若將小環(huán)由D點(diǎn)靜止釋放,則剛好能到達(dá)P點(diǎn),求DM間的距離;
(2)若將小環(huán)由M點(diǎn)右側(cè)5R處靜止釋放,設(shè)小環(huán)與PQ桿間的動摩擦因數(shù)為μ,小環(huán)所受最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等,求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年遼寧省丹東市四校協(xié)作體第二次聯(lián)考高三物理試卷 題型:計算題
如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強(qiáng)方向水平向左的勻強(qiáng)電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點(diǎn)由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達(dá)P點(diǎn),求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點(diǎn)時彎桿對小環(huán)作用力的大。
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:2012屆人教版高三物理磁場專項訓(xùn)練 題型:選擇題
(10分)如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強(qiáng)方向水平向左的勻強(qiáng)電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點(diǎn)由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達(dá)P點(diǎn),求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點(diǎn)時彎桿對小環(huán)作用力的大;
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功.
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