某電容式話(huà)筒的原理示意圖如題18圖所示， E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬極板，對(duì)著話(huà)筒說(shuō)話(huà)時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)，在P、Q間距離增大過(guò)程中，

A．P、Q構(gòu)成的電容器的電容增大

B  P上電荷量保持不變

C  M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低

D  M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2010?重慶）某電容式話(huà)筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬基板．對(duì)著話(huà)筒說(shuō)話(huà)時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)．在P、Q間距增大過(guò)程中（　�。�

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某電容式話(huà)筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬極板．對(duì)著話(huà)筒說(shuō)話(huà)時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)．在P、Q間距增大過(guò)程中，下列說(shuō)法正確的是（　　）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

某電容式話(huà)筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬基板．對(duì)著話(huà)筒說(shuō)話(huà)時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)．在P、Q間距增大過(guò)程中（　�。�

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某電容式話(huà)筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬極板。對(duì)著話(huà)筒說(shuō)話(huà)時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)。在P、Q間距增大過(guò)程中，下列說(shuō)法正確的是（    　�。�

A．P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小

B．P上電荷量保持不變

C．P、Q兩極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度變小

D．流過(guò)電阻R上電流方向?yàn)镸到N

 

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（2010·重慶·1７）某電容式話(huà)筒的原理示意圖如題18圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬基板。對(duì)著話(huà)筒說(shuō)話(huà)時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)。在P、Q間距增大過(guò)程中，（    ）

A．P、Q購(gòu)車(chē)的電容器的電容增大

B．P上電荷量保持不變

C．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低

D．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高

 

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