分析 (1)由題意,微粒在x軸上方做類平拋運動,將運動分解,即可求出電場強度的大小;
(2)對微粒減小受力分析知,微粒受到的電場力與重力大小相等,方向相反,所以洛倫茲力通過向心力,畫出運動的軌跡,結合幾何關系求出半徑,然后又洛倫茲力通過向心力即可求出磁感應強度,由左手定則判斷出磁場的方向;
(3)微粒再次返回x軸上方后,做類斜上拋運動,將運動分解,即可求出S的坐標;分別求出各段的時間求和即可.
解答 解:(1)由題意,微粒在x軸上方做類平拋運動,水平方向:2l=v0t
豎直方向:$l=\frac{1}{2}a{t}^{2}$
聯(lián)立得:$t=\sqrt{\frac{l}{g}}$,a=2g
微粒受到重力和電場力的作用,由牛頓第二定律:
qE+mg=ma
所以:E=$\frac{mg}{q}$
(2)微粒到達Q點時:${v}_{y}=at=2g•\sqrt{\frac{l}{g}}=2\sqrt{gl}$
所以:v=$\sqrt{{v}_{0}^{2}+{v}_{y}^{2}}=2\sqrt{2gl}$
速度與x軸的夾角:tanθ=$\frac{{v}_{y}}{{v}_{0}}=\frac{2\sqrt{gl}}{2\sqrt{gl}}=1$
可知微粒與x軸之間的夾角是45°
微粒在x軸下方受到重力、電場力和洛倫茲力到達作用,由于在x軸下方電場力的方向向上,與重力相等相等,所以微粒做勻速圓周運動,微粒恰好到達O點,則運動的軌跡如圖,由左手定則可得,磁場的方向向外,由圖中幾何關系得:
$R=\frac{OQ}{\sqrt{2}}=\sqrt{2}l$
微粒做圓周運動,則:
$qvB=\frac{m{v}^{2}}{R}$
所以:$B=\frac{mv}{qR}=\frac{2m}{ql}•\sqrt{gl}$
(3)如圖,由對稱性可知,微粒返回x祝上方后的速度仍然是$2\sqrt{2gl}$,方向與x軸之間的夾角仍然是45°,在第一象限中做類斜上拋運動,運動的時間:
$t′=\frac{2{v}_{y}}{a}=\frac{2×2\sqrt{gl}}{2g}=2\sqrt{\frac{l}{g}}$
水平方向的位移:$x={v}_{0}•t′=2\sqrt{gl}•2\sqrt{lg}=4l$
由圖可知,微粒在磁場中運動的時間是$\frac{3}{4}$T,即:$t″=\frac{3}{4}T=\frac{3}{4}•\frac{2πR}{v}=\frac{3}{4}π\(zhòng)sqrt{\frac{l}{g}}$
微粒運動的總時間:${t}_{總}=t+t′+t″=\sqrt{\frac{l}{g}}+2\sqrt{\frac{l}{g}}+\frac{3π}{4}\sqrt{\frac{l}{g}}=(3+\frac{3π}{4})\sqrt{\frac{l}{g}}$
答:(1)電場強度E的大小是$\frac{mg}{q}$;
(2)磁感應強度B的大小是$\frac{2m}{ql}•\sqrt{gl}$,方向垂直于紙面向外;
(3)S點橫坐標是4l;微粒從P運動到S經(jīng)歷的時間是$(3+\frac{3π}{4})\sqrt{\frac{l}{g}}$.
點評 解決本題的關鍵知道粒子在磁場中做勻速圓周運動,在電場中做類平拋運動和類斜上拋運動,結合粒子在磁場中的半徑公式和周期公式進行求解.
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 突變型光纖的從光纖中心芯到玻璃包層的折射率是突然變大 | |
B. | 漸變型光纖的從光纖中心芯到玻璃包層的折射率是逐漸變小 | |
C. | 光在漸變型光纖中的傳播軌跡是直折線 | |
D. | 光在突變型光纖中的傳播軌跡是曲線 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
計數(shù)點 | x/cm | s/cm | v/(m•s)-1 |
O | 1.00 | 0.30 | |
A | 2.34 | 1.34 | 0.38 |
B | 4.04 | 3.04 | 0.46 |
C | 6.00 | 5.00 | 0.54 |
D | 8.33 | 7.33 | 0.61 |
E | 10.90 | 9.90 | 0.70 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | d應保持不變 | B. | B的位置在同一圓弧上 | ||
C. | x與電荷量乘積Qq成正比 | D. | tanθ與A、B間庫侖力成正比 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 高頻部分 | B. | 低頻部分 | C. | 中頻部分 | D. | 中頻和低頻 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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