A. | 若空間存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),物塊第一次上滑到的最高點(diǎn)仍為F | |
B. | 若空間存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),物塊第一次上滑到的最高點(diǎn)比F點(diǎn)高 | |
C. | 若空間存在豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng),物塊第一次上滑到的最高點(diǎn)仍為F | |
D. | 若空間存在豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng),物塊第一次上滑到的最高點(diǎn)比F點(diǎn)高 |
分析 若空間存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),由左手定則判斷物塊所受的洛倫茲力方向,分析摩擦力的變化,再由能量守恒定律分析最高點(diǎn)的位置.若空間存在豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng),運(yùn)用動(dòng)能定理列式分析.
解答 解:AB、若空間存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),由左手定則判斷可知,物塊所受的洛倫茲力垂直于斜面向下,物塊對(duì)斜面的壓力增大,滑動(dòng)摩擦力增大,在BC面上下滑的加速度減小,在CD面上上滑的加速度增大,則物塊第一次上滑到的最高點(diǎn)比F點(diǎn)低,故AB錯(cuò)誤.
CD、設(shè)BC=S1,CF=S2,若空間存在豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng),物塊第一次上滑到的最高點(diǎn)與C點(diǎn)間的距離為S3.
根據(jù)動(dòng)能定理得:未加電場(chǎng)時(shí)有:mg(S1-S2)sinθ-μmgcosθ•(S1+S2)=0,
則得:S2=$\frac{(sinθ-μcosθ){S}_{1}}{sinθ+μcosθ}$
加電場(chǎng)時(shí),設(shè)電場(chǎng)力大小為F,則有:
(mg+F)(S1-S3)sinθ-μ(mg+F)cosθ•(S1+S3)=0,
則得:S3=$\frac{(sinθ-μcosθ){S}_{1}}{sinθ+μcosθ}$=S2,因此物塊第一次上滑到的最高點(diǎn)仍為F,故C正確,D錯(cuò)誤.
故選:C
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵要正確分析物塊的受力情況,熟練運(yùn)用左手定則判斷洛倫茲力的方向,運(yùn)用動(dòng)能定理時(shí),可選擇整個(gè)過程研究,也可以分兩段列式研究.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 布朗運(yùn)動(dòng)雖不是分子運(yùn)動(dòng),但它證明了組成固體顆粒的分子在做無規(guī)則運(yùn)動(dòng) | |
B. | 液體表面分子間距離大于液體內(nèi)部分子間的距離 | |
C. | 擴(kuò)散現(xiàn)象可以在液體、氣體中進(jìn)行,不能在固體中發(fā)生 | |
D. | 隨著分子間距增大,分子間引力和斥力均減小,分子勢(shì)能不一定減小 | |
E. | 氣體體積不變時(shí),溫度越高,單位時(shí)間內(nèi)容器壁單位面積受到氣體分子撞擊的次數(shù)越多 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 若往Rt上擦一些酒精,表針將向左移動(dòng) | |
B. | 若往Rt上擦一些酒精,表針將向右移動(dòng) | |
C. | 若用吹風(fēng)機(jī)將熱風(fēng)吹向電阻,表針將向左移動(dòng) | |
D. | 若用吹風(fēng)機(jī)將熱風(fēng)吹向電阻,表針將向右移動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在橢圓軌道上經(jīng)過B點(diǎn)時(shí)的a等于它在圓軌道上經(jīng)過B點(diǎn)時(shí)的a | |
B. | 在橢圓軌道上經(jīng)過B點(diǎn)時(shí)的v等于它在圓軌道上經(jīng)過B點(diǎn)時(shí)的v | |
C. | 在橢圓軌道上分別經(jīng)過A、B兩點(diǎn)的速率相等 | |
D. | 在圓軌道上經(jīng)過C點(diǎn)時(shí)的速率小于它在橢圓軌道上經(jīng)過A點(diǎn)的速率 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | vA′=1 m/s,vB′=1 m/s | B. | vA′=-3 m/s,vB′=9 m/s | ||
C. | vA′=2 m/s,vB′=-1 m/s | D. | vA′=-1 m/s,vB′=-5 m/s |
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