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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
2gR |
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科目:高中物理 來源: 題型:
2μmg |
q |
A、適當(dāng)選取初速度v0,小物塊有可能靜止在電場區(qū)內(nèi) | ||
B、無論怎樣選擇初速度v0,小物塊都不可能靜止在電場區(qū)內(nèi) | ||
C、要使小物塊穿過電場區(qū)域,初速度v0的大小應(yīng)大于2
| ||
D、若小物塊能穿過電場區(qū)域,小物塊在穿過電場區(qū)的過程中,機(jī)械能減少3μmgL |
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科目:高中物理 來源: 題型:
絕緣水平面上固定一正點(diǎn)電荷Q,另一質(zhì)量為m、電荷量為—q(q >0)的滑塊(可看作點(diǎn)電荷)從a點(diǎn)以初速皮沿水平面向Q運(yùn)動(dòng),到達(dá)b點(diǎn)時(shí)速度為 零.已知a、b間距離為s,滑塊與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為,重力加速度為g.以下判斷正確的是 ( )
A.滑塊在運(yùn)動(dòng)過程中所受Q的庫侖力有可能大于滑動(dòng)摩擦力
B.滑塊在運(yùn)動(dòng)過程的中間時(shí)刻, 速度的大小小于
C.此過程中產(chǎn)生的內(nèi)能為
D.Q產(chǎn)生的電場中,a、b兩點(diǎn)間的電勢(shì)差為
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