分析 (1)要正確求出C下落的最大距離,關(guān)鍵是正確分析當(dāng)達(dá)到最大距離時系統(tǒng)中各個物體的狀態(tài),開始由于A受水平向左的電場力以及彈簧的彈力作用,A被擠壓在擋板P上,當(dāng)B向右運動彈簧恢復(fù)原長時,A仍然與擋板之間有彈力作用,當(dāng)B繼續(xù)向右運動時,彈簧被拉長,當(dāng)彈簧彈力大小等于A所受電場力時,A與擋板之間彈力恰好為零,此時B、C的速度也恰好為零,即C下落距離最大,注意此時A處于平衡狀態(tài),而B、C都不是平衡狀態(tài).
(2)依據(jù)電場力做功即可求出小物塊B的電勢能的變化量,B、C一起運動過程中,初末速度均為零,B電勢能增大,C重力勢能減小,依據(jù)功能關(guān)系即可求出彈簧彈性勢能變化量.
(3)對系統(tǒng)根據(jù)功能關(guān)系有:當(dāng)小物塊A剛離開擋板P時,C重力勢能減小量等于B電勢能和彈簧彈性勢能以及B、C動能變化量之和;B球在豎直方向合外力為零,因此對B球正確進(jìn)行受力分析即可求出小物塊對水平面的壓力
解答 解:(1)開始時彈簧的形變量為x1,
對物體B由平衡條件可得:kx1=QBE
設(shè)A剛離開擋板時,
彈簧的形變量為x2,
對物塊B由平衡條件可得:kx2=QAE
故C下降的最大距離為:h=x1+x2=$\frac{E}{k}({Q}_{A}+{Q}_{B})$
(2)物塊C由靜止釋放下落h至最低點的過程中,
B的電勢能增加量為:△E=QBEh=$\frac{{E}^{2}}{k}{Q}_{B}({Q}_{A}+{Q}_{B})$
由能量守恒定律可知:
物塊由靜止釋放至下落h至最低點的過程中,
c的重力勢能減小量等于
B的電勢能的增量和彈簧彈性勢能的增量
即:Mgh=QBEh+△E彈
解得:△E彈=$\frac{E}{k}(Mg-{Q}_{B})$(QA+QB)
故小物塊C下落到最低點的過程中,小物塊B的電勢能的變化量為$\frac{{E}^{2}}{k}{Q}_{B}({Q}_{A}+{Q}_{B})$,彈簧的彈性勢能變化量為
△E彈=$\frac{E}{k}(Mg-{Q}_{B})$(QA+QB)
(3)當(dāng)C的質(zhì)量為2M時,
設(shè)A剛離開擋板時B的速度為V,
由能量守恒定律可知:2Mgh+QBEh+△E彈+$\frac{1}{2}(2M+mB){v}^{2}$
解得A剛離開P時B的速度為:v=$\sqrt{\frac{2MgE({Q}_{A}+{Q}_{B})}{(2M+{m}_{B})k}}$
因為物塊AB均不離開水平桌面,
設(shè)物體B所受支持力為NB1,所以對物塊B豎直方向受力平衡:
mBg=NB1+QBvB
由牛頓第三定律得:NB=NB1
解得:NB=mB-BQB$\sqrt{\frac{2MgE({Q}_{A}+{Q}_{B})}{(2M+{m}_{B})k}}$
答:(1)求物塊C下落的最大距離為$\frac{E}{k}({Q}_{A}+{Q}_{B})$;
(2)求小物塊C從開始下落到最低點的過程中,小物塊B的電勢能的變化量,以及彈簧的彈性勢能變化量變大為:$\frac{E}{k}(Mg-{Q}_{B})$(QA+QB)
(3)若C的質(zhì)量改為2M,求小物塊A剛離開擋板P時小物塊B的速度大。$\sqrt{\frac{2MgE({Q}_{A}+{Q}_{B})}{(2M+{m}_{B})k}}$,以及此時小物塊B對水平桌面的壓力mB-BQB$\sqrt{\frac{2MgE({Q}_{A}+{Q}_{B})}{(2M+{m}_{B})k}}$.
點評 本題過程繁瑣,涉及功能關(guān)系多,有彈性勢能、電勢能、重力勢能等之間的轉(zhuǎn)化,全面考察了學(xué)生綜合分析問題能力和對功能關(guān)系的理解及應(yīng)用,有一定難度.對于這類題目在分析過程中,要化繁為簡,即把復(fù)雜過程,分解為多個小過程分析,同時要正確分析受力情況,弄清系統(tǒng)運動狀態(tài)以及功能關(guān)系
科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 做簡諧運動的物體,其振動能量與振幅無關(guān) | |
B. | 全息照相的拍攝利用了光的干涉原理 | |
C. | 真空中的光速在不同的慣性參考系中都是相同的,與光源和觀察者的運動無關(guān) | |
D. | 醫(yī)學(xué)上用激光做“光刀”來進(jìn)行手術(shù),主要是利用了激光的亮度高、能量大的特點 | |
E. | 機械波和電磁波都可以在真空中傳播 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 導(dǎo)電圓環(huán)所受安培力方向豎直向下 | |
B. | 導(dǎo)電圓環(huán)所受安培力方向豎直向上 | |
C. | 導(dǎo)電圓環(huán)所受安培力的大小為2BIR | |
D. | 導(dǎo)電圓環(huán)所受安培力的大小為2πBIRsinθ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{2}{3}g\sqrt{m}$sinθ | B. | $\frac{4}{3}g\sqrt{m}$sinθ | C. | $\frac{16}{3}g\sqrt{m}$sinθ | D. | $\frac{8}{3}g\sqrt{m}$sinθ |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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