（15分）一絕緣“”形桿由兩段相互平行的足夠長的水平直桿PQ、MN和一半徑為R的光滑半圓環(huán)MAP組成，固定在豎直平面內(nèi)，其中MN桿是光滑的，PQ桿是粗糙的．現(xiàn)將一質(zhì)量為m的帶正電荷的小環(huán)套在MN桿上，小環(huán)所受的電場力為重力的。

（1）若將小環(huán)由D點靜止釋放，則剛好能到達(dá)P點，求DM間的距離；

（2）若將小環(huán)由M點右側(cè)5R處靜止釋放，設(shè)小環(huán)與PQ桿間的動摩擦因數(shù)為，小環(huán)所受最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等，求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強(qiáng)方向水平向左的勻強(qiáng)電場，在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成，固定在紙面所在的豎直平面內(nèi)．PQ、MN與水平面平行且足夠長，半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè)，P、M點在磁場界線上，NMAP段是光滑的，現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為＋q的小環(huán)套在MN桿上，它所受到的電場力為重力的倍．現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán)，小環(huán)剛好能到達(dá)P點，求：

(1)D、M間的距離x0；

(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大小；

(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等)．現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放，求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功．

 

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科目：高中物理 來源： 題型：

(10分)如圖所示，在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強(qiáng)方向水平向左的勻強(qiáng)電場，在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成，固定在紙面所在的豎直平面內(nèi)．PQ、MN與水平面平行且足夠長，半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè)，P、M點在磁場界線上，NMAP段是光滑的，現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為＋q的小環(huán)套在MN桿上，它所受到的電場力為重力的倍．現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán)，小環(huán)剛好能到達(dá)P點，求：

(1)D、M間的距離x0；

(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大�。�

(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等)．現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放，求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功．

 

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年遼寧省撫順市六校聯(lián)合體高三上期中考試物理試卷（解析版） 題型：計算題

)一絕緣“⊂”形桿由兩段相互平行的足夠長的水平直桿PQ、MN和一半徑為R的光滑半圓環(huán)MAP組成，固定在豎直平面內(nèi)，其中MN桿是光滑的，PQ桿是粗糙的．現(xiàn)將一質(zhì)量為m的帶正電荷的小環(huán)套在MN桿上，小環(huán)所受的電場力為重力的.

 

(1)若將小環(huán)由D點靜止釋放，則剛好能到達(dá)P點，求DM間的距離；

(2)若將小環(huán)由M點右側(cè)5R處靜止釋放，設(shè)小環(huán)與PQ桿間的動摩擦因數(shù)為μ，小環(huán)所受最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等，求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功．

 

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科目：高中物理 來源：2010-2011學(xué)年遼寧省丹東市四校協(xié)作體第二次聯(lián)考高三物理試卷 題型：計算題

如圖所示，在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強(qiáng)方向水平向左的勻強(qiáng)電場，在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成，固定在紙面所在的豎直平面內(nèi)．PQ、MN與水平面平行且足夠長，半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè)，P、M點在磁場界線上，NMAP段是光滑的，現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為＋q的小環(huán)套在MN桿上，它所受到的電場力為重力的倍．現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán)，小環(huán)剛好能到達(dá)P點，求：

(1)D、M間的距離x0；

(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大��；

(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等)．現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放，求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功．

 

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科目：高中物理 來源：2012屆人教版高三物理磁場專項訓(xùn)練 題型：選擇題

(10分)如圖所示，在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強(qiáng)方向水平向左的勻強(qiáng)電場，在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成，固定在紙面所在的豎直平面內(nèi)．PQ、MN與水平面平行且足夠長，半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè)，P、M點在磁場界線上，NMAP段是光滑的，現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為＋q的小環(huán)套在MN桿上，它所受到的電場力為重力的倍．現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán)，小環(huán)剛好能到達(dá)P點，求：

(1)D、M間的距離x0；

(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大小；

(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等)．現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放，求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功．

 

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