Mcm |
r2 |
4π2 |
T2 |
|
TC |
T地 |
|
|
Mcm |
r2 |
v2 |
r |
vc |
v地 |
|
|
Mcm |
r2 |
M地m |
R2 |
g′ |
g |
McR2 |
M地r2 |
5×1 |
1×1.52 |
5 |
2.25 |
Mc |
Vc |
Mc | ||
|
5M地 | ||
|
M地 | ||
|
科目:高中物理 來源: 題型:
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NO |
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MO |
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科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解
(08年山東卷)(12分)2007年諾貝爾物理學獎授予了兩位發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效應的物理學家。材料的電阻隨磁場的增加而增大的現(xiàn)象稱為磁阻效應,利用這種效應可以測量磁感應強度。
若圖1為某磁敏電阻在室溫下的電阻―磁感應強度特性曲線,其中RB、RO分別表示有、無磁敏電阻的阻值。為了測量磁感應強度B,需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值RB。請按要求完成下列實驗。
(1)設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路,在圖2的虛線框內(nèi)畫出實驗電路原理圖(磁敏電阻及所處磁場已給出,待測磁場磁感應強度大小約為0.6~1.0T,不考慮磁場對電路其它部分的影響)。要求誤差較小。
提供的器材如下:
A.磁敏電阻,無磁場時阻值
B.滑動變阻器R,全電阻約
C.電流表,量程2.5mA,內(nèi)阻約
D.電壓表,量程3V,內(nèi)阻約3k
E.直流電源E,電動勢3V,內(nèi)阻不計
F.開關S,導線若干
(2)正確接線后,將磁敏電阻置入待測磁場中,測量數(shù)據(jù)如下表:
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
U(V) | 0.00 | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
I(mA) | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
根據(jù)上表可求出磁敏電阻的測量值RB= ,結合圖1可知待測磁場的磁感應強B= T。
(3)試結合圖1簡要回答,磁感應強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻阻值的變化規(guī)律有何不同?
(4)某同學查閱相關資料時看到了圖3所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻―磁感應強度特性曲線(關于縱軸對稱),由圖線可以得到什么結論?
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