(2012?上海模擬)在動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.2的粗糙絕緣足夠長(zhǎng)的水平滑漕中,長(zhǎng)為2L的絕緣輕質(zhì)細(xì)桿兩端各連接一個(gè)質(zhì)量均為m的帶電小球A和B,如圖為俯視圖(槽兩側(cè)光滑).A球的電荷量為+2q,B球的電荷量為-3q(均可視為質(zhì)點(diǎn),也不考慮兩者間相互作用的庫(kù)侖力).現(xiàn)讓A處于如圖所示的有界勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域MPQN內(nèi),已知虛線MP恰位于細(xì)桿的中垂線,MP和NQ的距離為3L,勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小為E=1.2mg/q,方向水平向右.釋放帶電系統(tǒng),讓A、B從靜止開(kāi)始運(yùn)動(dòng)(忽略小球運(yùn)動(dòng)中所產(chǎn)生的磁場(chǎng)造成的影響).求:
(1)小球B第一次到達(dá)電場(chǎng)邊界MP所用的時(shí)間;
(2)小球A第一次離開(kāi)電場(chǎng)邊界NQ時(shí)的速度大小
(3)帶電系統(tǒng)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,B球電勢(shì)能增加量的最大值.
分析:(1)B進(jìn)入電場(chǎng)前的過(guò)程中,系統(tǒng)做勻加速運(yùn)動(dòng),使用牛頓第二定律,先求出加速度,再求出運(yùn)動(dòng)的時(shí)間;
(2)B進(jìn)入電場(chǎng)后前的過(guò)程中,系統(tǒng)做勻減速運(yùn)動(dòng),使用牛頓第二定律,先求出加速度,再求出運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最后求出速度.也可以使用動(dòng)能定理求解;
(3)帶電系統(tǒng)速度第一次為零,此時(shí)A已經(jīng)到達(dá)右邊界NQ外,B克服電場(chǎng)力做的功最多,B增加的電勢(shì)能最多,據(jù)此列公式求出即可.
解答:解:
(1)帶電系統(tǒng)開(kāi)始運(yùn)動(dòng)后,先向右加速運(yùn)動(dòng);當(dāng)B進(jìn)入電場(chǎng)區(qū)時(shí),開(kāi)始做減速運(yùn)動(dòng).設(shè)B進(jìn)入電場(chǎng)前的過(guò)程中,系統(tǒng)的加速度為a1,
由牛頓第二定律:2Eq-μ2mg=2ma1           即:a1=g
B剛進(jìn)入電場(chǎng)時(shí),由:L=
1
2
a1
t
2
1
               
可得:t1=
2L
g

(2)當(dāng)A剛滑到右邊界時(shí),電場(chǎng)力對(duì)系統(tǒng)做功為:W1=2Eq?2L+(-3Eq?L)=EqL
摩擦力對(duì)系統(tǒng)做功為:W2=-μ?2mg?2l=-0.8mgL
W=EqL-0.8mgL=0.4mgL         故A球從右端滑出.
設(shè)B從靜止到剛進(jìn)入電場(chǎng)的速度為v1v1=a1t1=
2gL

設(shè)B進(jìn)入電場(chǎng)后,系統(tǒng)的加速度為a2,由牛頓第二定律:2Eq-3Eq-2μmg=2ma2
a2=-0.8g
系統(tǒng)做勻減速運(yùn)動(dòng),設(shè)小球A第一次離開(kāi)電場(chǎng)邊界NQ時(shí)的速度大小為v2
由:
v
2
2
-
v
2
1
=2a?2L
,
可得:v2=
0.4gL

(3)當(dāng)帶電系統(tǒng)速度第一次為零,此時(shí)A已經(jīng)到達(dá)右邊界NQ外,B克服電場(chǎng)力做的功最多,B增加的電勢(shì)能最多,設(shè)此時(shí)A離右邊界NQ的距離為x
由動(dòng)能定理:2Eq?2L-3Eq×(L+x)-μ2mg(2L+x)=0
可得:x=0.1L
所以B電勢(shì)能增加的最大值△W1=3Eq×1.1L=3.3EqL=3.96mgL      
答:(1)小球B第一次到達(dá)電場(chǎng)邊界MP所用的時(shí)間
2L
g
;
(2)小球A第一次離開(kāi)電場(chǎng)邊界NQ時(shí)的速度大小
0.4gL
;
(3)帶電系統(tǒng)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,B球電勢(shì)能增加量的最大值3.96mgL.
點(diǎn)評(píng):該題情景新穎,針對(duì)同一過(guò)程的問(wèn)題精致,要求我們需要對(duì)該過(guò)程減小細(xì)致的分析,才能找出正確的解題思路和方法.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

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(1)ab棒進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)I時(shí)速度V的大;(2)磁場(chǎng)區(qū)I在沿斜軌方向上的寬度d;
(3)棒從開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到剛好進(jìn)入水平軌道這段時(shí)間內(nèi)ab棒上產(chǎn)生的熱量Q;
(4)若棒在t2時(shí)刻進(jìn)入水平導(dǎo)軌后,電流計(jì)G的電流I隨時(shí)間t變化的關(guān)系如圖(丙)所示(而未知),已知t2到t3的時(shí)間為0.5s,t3到t4的時(shí)間為1s,請(qǐng)?jiān)趫D(。┲凶鞒鰐2到t4時(shí)間內(nèi)外力大小F隨時(shí)間t變化的函數(shù)圖象.(從上向下看逆時(shí)針?lè)较驗(yàn)殡娏髡较颍?BR>

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(1)運(yùn)動(dòng)員要達(dá)到最大水平運(yùn)動(dòng)距離,B點(diǎn)的高度h應(yīng)調(diào)為多大?平拋過(guò)程的最大水平距離Smax為多少?
(2)為了研究物體從B點(diǎn)沿光滑拋物線軌道頂端無(wú)初速下滑的運(yùn)動(dòng),制做一個(gè)與第(1)中運(yùn)動(dòng)員平拋軌跡完全相同的光滑軌道,并將該軌道固定在與BC曲線重合的位置,讓另一物體P沿該軌道無(wú)初速下滑(下滑過(guò)程中始終不會(huì)脫離軌道),則物體P通過(guò)軌道最低點(diǎn)C時(shí)的水平分速度和豎直分速度大。

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