如圖所示,abcd為一個閉合矩形金屬線框,圖中虛線為磁場右邊界(磁場的左邊界很遠(yuǎn)),它與線圈的ab邊平行,等分bc邊,即線圈有一半位于勻強(qiáng)磁場之中,而另一半位于磁場之外,磁感線方向垂直于線框平面向里.線框以ab邊為軸勻速轉(zhuǎn)動,t=0時刻線圈的位置如圖所示.在下面的坐標(biāo)系中定性畫出轉(zhuǎn)動過程中線圈內(nèi)感應(yīng)電流隨時間變化的圖象(只要求畫出一個周期).

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解析:

由i==cosθ=cost,且在0—和T—T時間內(nèi),回路中磁通量變化量ΔΦ為零,無感應(yīng)電流,i-t圖如下.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示abcd為一豎直放置的正方形導(dǎo)線框，其平面與勻強(qiáng)磁場方向垂直．導(dǎo)線框沿豎直方向從磁場上邊界開始下落，直到ab邊出磁場（已知磁場高度大于導(dǎo)線框邊長），則以下說法正確的是（　　）

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2011?閘北區(qū)二模）如圖所示abcd為一邊長l、具有質(zhì)量的正方形剛性導(dǎo)線框，位于水平面內(nèi)，bc邊中串接有電阻R，導(dǎo)線的電阻不計．虛線表示一勻強(qiáng)磁場區(qū)域的邊界，它與線框的ab邊平行，磁場區(qū)域的寬度為2l，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向豎直向下．線框在一垂直于ab邊的水平恒定拉力F作用下沿光滑水平面運(yùn)動，直至通過磁場區(qū)域．已知ab邊剛進(jìn)入磁場時，線框便為勻速運(yùn)動，此時通過R的電流大小為i0，則從導(dǎo)線框剛進(jìn)入磁場到完全離開磁場的過程中，流過電阻R的電流i的大小隨ab邊的位置坐標(biāo)x變化的圖線可能是（　�。�

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科目：高中物理 來源：2011屆山東省東營市勝利一中高三模擬考試（理綜）物理試題 題型：計算題

如圖所示ABCD為邊長為L的單匝正方形金屬線框處在垂直于線框平面的勻強(qiáng)磁場中，磁場的磁感強(qiáng)度隨時間變化的規(guī)律如圖甲所示，E、F為平行正對的兩金屬板，板長和板間距均為L，兩金屬板通過導(dǎo)線分別與金屬線框的端點(diǎn)相連，P為一粒子源，能夠發(fā)射速度為v0比荷為的正離子， 離子從兩板間飛出后進(jìn)入如圖所示的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，MN為磁場的左邊界，磁場的磁感強(qiáng)度為B0，已知t=0時刻和t=兩時刻恰好有兩個離子從P中以初速度v0沿EF的中央軸線射入兩板間，不計離子受到的重力。
（1）試判斷兩離子能否從兩板間穿出進(jìn)入MN右側(cè)的磁場區(qū)域。
（2）求離子進(jìn)入磁場時的速度與v0的夾角。
（3）如果兩粒子均能從磁場的左邊界MN飛離磁場，求兩離子在磁場中運(yùn)動的時間之比。
（4）為了保證兩離子均再從磁場的左邊界MN飛離，求磁場區(qū)域的最小寬度。

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科目：高中物理 來源：2010-2011學(xué)年浙江省高三模擬考試?yán)砭C物理部分 題型：選擇題

如圖所示abcd為一豎直放置的正方形導(dǎo)線框，其平面與勻強(qiáng)磁場方向垂直。導(dǎo)線框沿豎直方向從磁場上邊界開始下落，直到ab邊出磁場(已知磁場高度大于導(dǎo)線框邊長)，則以下說法正確的是(      )

A.線圈進(jìn)入磁場和離開磁場的過程中通過導(dǎo)體橫截面的電荷量相等

B.線圈進(jìn)入磁場和離開磁場的過程中導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的電熱相等

C.線圈從進(jìn)入磁場到完全離開磁場的過程中導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的電熱不可

能等于線圈重力勢能的減小

D.若線圈在ab邊出磁場時已經(jīng)勻速運(yùn)動，則線圈的匝數(shù)越多下落的速度越大

 

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科目：高中物理 來源：2010-2011學(xué)年山東省東營市高三模擬考試（理綜）物理試題 題型：計算題

如圖所示ABCD為邊長為L的單匝正方形金屬線框處在垂直于線框平面的勻強(qiáng)磁場中，磁場的磁感強(qiáng)度隨時間變化的規(guī)律如圖甲所示，E、F為平行正對的兩金屬板，板長和板間距均為L，兩金屬板通過導(dǎo)線分別與金屬線框的端點(diǎn)相連，P為一粒子源，能夠發(fā)射速度為v0比荷為的正離子， 離子從兩板間飛出后進(jìn)入如圖所示的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，MN為磁場的左邊界，磁場的磁感強(qiáng)度為B0，已知t=0時刻和t=兩時刻恰好有兩個離子從P中以初速度v0沿EF的中央軸線射入兩板間，不計離子受到的重力。

（1）試判斷兩離子能否從兩板間穿出進(jìn)入MN右側(cè)的磁場區(qū)域。

（2）求離子進(jìn)入磁場時的速度與v0的夾角。

（3）如果兩粒子均能從磁場的左邊界MN飛離磁場，求兩離子在磁場中運(yùn)動的時間之比。

（4）為了保證兩離子均再從磁場的左邊界MN飛離，求磁場區(qū)域的最小寬度。

 

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