電子束焊接機(jī)中的電子槍如圖所示，K為陰極、電勢為φX，A為陽極、電勢為φA，在電場作用下電量為-e的電子從K運(yùn)動(dòng)到A，則（　　）
A、A、K間電勢差為φA-φKB、電子動(dòng)能增加e（φA-φK）C、電子電勢能增加e（φA-φK）D、電子克服電場力做功為e（φA-φK）
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，兩端封閉的金屬圓筒和圓形金屬板共軸，金屬圓筒的橫截面半徑比金屬圓板的小很多，金屬板接地．現(xiàn)將金屬圓筒帶上一定量的正電荷，穩(wěn)定時(shí)，金屬圓筒和金屬板均處于靜電平衡狀態(tài)，在軸線上建立x軸，原點(diǎn)為O，則x正半軸上各點(diǎn)的電勢φ隨x變化的圖象可能是（　�。�
A、B、C、D、

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科目：高中物理 來源： 題型：

在光滑絕緣水平面P點(diǎn)正上方的O點(diǎn)固定一電荷量為一Q的點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為+q的檢驗(yàn)電荷，該檢驗(yàn)電荷在水平方向僅受電場力作斥運(yùn)動(dòng)至P點(diǎn)時(shí)的速度為v，圖中θ=60°．規(guī)定P點(diǎn)的電勢為零，則在一Q形成O電場中（　�。�
A、N點(diǎn)電勢低于P點(diǎn)電勢
B、N點(diǎn)電勢為-
mv2
2q
C、P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的4倍
D、檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
1
2
mv2

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科目：高中物理 來源： 題型：

等量異號點(diǎn)電荷+Q和-Q處在真空中，O為兩點(diǎn)電荷連線上偏向+Q方向的一點(diǎn)，以O(shè)點(diǎn)為圓心畫一圓，圓平面與兩點(diǎn)電荷的連線垂直，P點(diǎn)為圓上一點(diǎn)，則下列說法正確的是（　�。�
A、圓上各點(diǎn)的電場強(qiáng)度相同B、圓上各點(diǎn)的電勢相等C、將試探電荷+q由P點(diǎn)移至O點(diǎn)電場力做正功D、將試探電荷+q由P點(diǎn)移至O點(diǎn)，它的電勢能變大

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科目：高中物理 來源： 題型：

一帶電粒子僅在電場力作用下從A點(diǎn)沿直線運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)，其速度隨時(shí)間變化的圖象如圖所示，tA、tB分別是帶電粒子到達(dá)A、B兩點(diǎn)對應(yīng)的時(shí)刻，則（　�。�
A、A處的場強(qiáng)一定大于B處的場強(qiáng)B、A處的電勢一定高于B處的電勢C、該粒子在A處的電勢能一定大于在B處的電勢能D、在該粒子從A到B的過程中，電場力一定對它做正功

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖，在絕緣水平面上固定著兩個(gè)等量電荷A、B，在AB連線上的P點(diǎn)由靜止釋放一帶電滑塊，則滑塊會(huì)由靜止開始一直向右運(yùn)動(dòng)到AB連線間的另一點(diǎn)M而停止運(yùn)動(dòng)．則以下判斷正確的是（　　）
A、A、B一定為異種電荷B、滑塊的電勢能一定是先減小后增大C、滑塊的動(dòng)能與電勢能之和一定保持不變D、AP間的距離一定小于BM間的距離

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，光滑絕緣的水平桌面上，固定著一個(gè)帶電量為+Q的小球P，帶電量分別為-q和+2q的小球M和N，由絕緣細(xì)桿相連，靜止在桌面上，P與M相距L，P、M和N視為點(diǎn)電荷，下列說法正確的是（　�。�
A、M與N的距離大于LB、P、M和N在同一直線上C、在P產(chǎn)生的電場中，M、N處的電勢相同D、M、N及細(xì)桿組成的系統(tǒng)所受合外力為零

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在豎直向上的勻強(qiáng)電場中，絕緣輕質(zhì)彈簧直立于地面上，上面放一個(gè)質(zhì)量為m的帶負(fù)電的小球，小球與彈簧不連接．現(xiàn)用外力將小球向下壓到如圖所示的位置后撤去外力，小球從靜止開始運(yùn)動(dòng)到剛離開彈簧的過程中，小球克服重力和電場力做功分別為W1和W2，小球剛好離開彈簧時(shí)速度為v，不計(jì)空氣阻力，則上述過程中（　�。�
A、帶電小球電勢能增加W2
B、彈簧彈性勢能最大值為W1+W2+
1
2
mv2
C、彈簧彈性勢能減少量為W2+W1
D、帶電小球和彈簧組成的系統(tǒng)機(jī)械能減少W2

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖為電子以水平向右的初速度進(jìn)入M、N板產(chǎn)生的勻強(qiáng)電場中的運(yùn)動(dòng)軌跡，則（　�。�
A、M板可能帶正電B、M板電勢比N板的低C、電子的電勢能越來越大D、電子受到的電場力越來越大

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