如圖所示,粗細(xì)均勻的U形管豎直放置,左端封閉,右端開口,左端用水銀封閉著長(zhǎng)L=10cm的理想氣體,當(dāng)溫度為27°C時(shí),兩管水銀面的高度差Δh=2cm.設(shè)外界大氣壓為1.0´105Pa(即75cmHg).為了使左、右兩管中的水銀面相平,求:

小題1:若對(duì)封閉氣體緩慢加熱,溫度需升高到多少°C?
小題2:若溫度保持27°C不變,需從右管的開口端再緩慢注入多少高度的水銀柱?

小題1:66℃
小題2:2.54cm
(1)根據(jù)理想氣體狀態(tài)方程:      (2分)
代入數(shù)據(jù),從中求得T2=339K ,t2=66℃    (3分)
(2)根據(jù)玻意耳定律:P1V1 = P3V3     (2分)
代入數(shù)據(jù)73×10 = 75×L3,從中求得L3= 9.73 cm ,即閉管水銀柱上升了0.27cm,
所需注入的水銀柱長(zhǎng)為H = (2+2×0.27)cm = 2.54cm  (3分)
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

關(guān)于單晶體,下述說法正確的是(   )
A.具有規(guī)則的幾何形狀B.物理性質(zhì)與方向無關(guān)
C.沒有一定的熔解溫度D.內(nèi)部分子的排列具有規(guī)律性

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

下列說法中正確的是
A.晶體一定具有規(guī)則的幾何外形
B.當(dāng)液晶中電場(chǎng)強(qiáng)度不同時(shí),液晶對(duì)不同顏色光的吸收強(qiáng)度不同
C.葉面上的小露珠呈球形是由于液體表面張力的作用
D.當(dāng)氫氣和氧氣的溫度相同時(shí),它們分子的平均速率相同

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計(jì)算題

一定質(zhì)量的理想氣體,經(jīng)過如圖所示的由A經(jīng)B到C的狀態(tài)變化,設(shè)狀態(tài)A的溫度為400K。求:
(1)狀態(tài)C的溫度Tc為多少K?
(2)如果由A經(jīng)B到C的狀態(tài)變化的整個(gè)過程中,氣體對(duì)外做了400J的功,氣體的內(nèi)能增加了20J,則這個(gè)過程氣體是吸收熱量還是放出熱量?其數(shù)值為多少?

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

一定質(zhì)量的理想氣體,現(xiàn)要使它的壓強(qiáng)經(jīng)過狀態(tài)變化后回到初始狀態(tài)的壓強(qiáng),
那么下列哪些過程可以實(shí)現(xiàn):                                 (       )                                                     
A.先將氣體等溫膨脹,再將氣體等容降溫
B.先將氣體等溫壓縮,再將氣體等容降溫
C.先將氣體等容升溫,再將氣體等溫膨脹
D.先將氣體等容降溫,再將氣體等溫壓縮

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

一定質(zhì)量的理想氣體的內(nèi)能E隨體積V的變化關(guān)系為一直線(其延長(zhǎng)線過E~V原點(diǎn)),則此直線表示的過程為:  
                     
A.等溫過程.
B.等壓過程.
C.等體過程.
D.絕熱過程.

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖為某人在旅游途中對(duì)同一密封的小包裝食品拍攝的兩張照片,甲圖攝于海拔500m、氣溫為18℃的環(huán)境下,乙圖攝于海拔3200m、氣溫為10℃環(huán)境下。下列說法中正確的是
A.甲圖中小包內(nèi)氣體的壓強(qiáng)小于乙圖小包內(nèi)氣體的壓強(qiáng)
B.甲圖中小包內(nèi)氣體的壓強(qiáng)大于乙圖小包內(nèi)氣體的壓強(qiáng)
C.海拔越高,小包內(nèi)氣體的壓強(qiáng)越大
D.若發(fā)現(xiàn)小包鼓起得更厲害,則可以判斷所在位置的海拔更高

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

現(xiàn)將一定質(zhì)量的某種理想氣體進(jìn)行等溫壓縮。下列圖象能正確表示該氣體在壓縮過程中的壓強(qiáng)和體積的倒數(shù)的關(guān)系的是

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

.容積不變的容器內(nèi)封閉著一定質(zhì)量的理想氣體,當(dāng)溫度升高時(shí)(   )
A.每個(gè)氣體分子的速率都增大
B.單位時(shí)間內(nèi)氣體分子撞擊器壁的次數(shù)增多
C.氣體分子對(duì)器壁的撞擊,在單位面積上每秒鐘內(nèi)的個(gè)數(shù)增多
D.單位時(shí)間內(nèi)氣體分子撞擊器壁的次數(shù)減少

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