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精英家教網如圖所示,電荷量為e、質量為m的質子從坐標原點O處沿xOy平面射入第二象限內的各個不同方向,射入時的速度大小均為v0.現在某一區(qū)域內加一方向向外且垂直于xOy平面的勻強磁場,磁感應強度大小為B,若這些質子穿過磁場后都能垂直地射到與y軸平行的熒光屏PQ上,不計質子重力.求:
(1)質子穿過y軸時離坐標原點O的最大距離;
(2)質子打到熒光屏上范圍的長度;
(3)所加磁場區(qū)域的最小面積.
分析:(1)從第二象限射入的質子,速度的大小相同,速度的方向(與x軸的負方向)分布在0°到90°的范圍內,沿x軸負方向射入的質子的偏轉角最大,經過y軸上的點距O點最遠.經分析可知,此距離為質子運動軌跡半徑的2倍.
(2)作出平行于x軸入射的質子軌跡和垂直于x軸入射的質子的軌跡,兩個電子的運動半徑相同,通過幾何關系可知質子打到熒光屏上的長度等于軌跡的半徑.
(3)結合平行于x軸射入的質子和垂直于x軸方向射入的質子的軌跡,結合幾何關系可得知磁場最小面積時的圖形,從而可得出最小面積.
解答:精英家教網解:(1)設質子在磁場中運動的半徑為R,由牛頓第二定律得:ev0B=m
v
2
0
R

得:R=
mv0
eB

沿x軸負方向射入的質子的偏轉角最大,穿過y軸時離坐標原點O的距離最大為:ymax=2R=
2mv0
eB

(2)如圖所示,初速度沿x軸負方向的質子沿弧OA運動到熒光屏MN上的P點;初速度沿y軸正方向的質子沿弧OC運動到熒光屏MN上的Q點;由幾何知識可得:
PQ=R=
mv0
eB

(3)取與x軸負方向成θ角的方向射入的質子為研究對象,其射出磁場的點為E(x,y),因其射出后能垂直打到屏MN上,故有:
  x=Rsinθ
  y=R+Rcosθ
即:x2+(y-R)2=R2
又因為質子沿x軸正方向射入時,射出的邊界點為A點;沿y軸正方向射入時,射出的邊界點為C點,故所加最小面積的磁場的邊界是以(0,R)為圓心、R為半徑的圓的一部分,如圖中實線圓弧所圍區(qū)域,所以磁場范圍的最小面積為:S=
3
4
πR2
+R2-
1
4
πR2
=(
π
2
+1
(
mv0
eB
)2

答:
(1)質子穿過y軸時離坐標原點O的最大距離是
2mv0
eB
;
(2)質子打到熒光屏上范圍的長度是
mv0
eB

(3)所加磁場區(qū)域的最小面積為(
π
2
+1
(
mv0
eB
)2
點評:本題在審題時要關注以下兩點:
(1)從第一象限射入的質子,速度的大小相同,速度的方向(與x軸的正方向)分布在0°到90°的范圍內.
(2)質子穿過磁場后都能垂直地射到MN光屏上,要利用好“垂直”這個條件.
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