A. | 為了解釋光電效應(yīng)現(xiàn)象,愛因斯坦建立了光子說,指出在光電效應(yīng)現(xiàn)象中,光電子的最大初動能與入射光的頻率成線性關(guān)系 | |
B. | 湯姆遜根據(jù)陰極射線在電場和磁場中的偏轉(zhuǎn)情況斷定,陰極射線的本質(zhì)是帶負電的粒子流,并測出了這種粒子的比荷 | |
C. | 按照玻爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時,電子的動能減小,原子的能量減小了 | |
D. | 已知中子、質(zhì)子和氘核的質(zhì)量分別為mn、mp和mD,則氘核的比結(jié)合能為$\frac{({m}_{n}+{m}_{p}-{m}_{D}){c}^{2}}{2}$(c表示真空中的光速) | |
E. | 放射性元素發(fā)生β衰變,新核的化學(xué)性質(zhì)不變 |
分析 根據(jù)光電效應(yīng)方程分析光電子的最大初動能與入射光頻率的關(guān)系;湯姆遜根據(jù)陰極射線在電場和磁場中的偏轉(zhuǎn)情況斷定,陰極射線的本質(zhì)是帶負電的粒子流,并測出了這種粒子的比荷;氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時,原子的能量增大,根據(jù)庫侖引力提供向心力分析電子動能的變化;根據(jù)愛因斯坦質(zhì)能方程得出結(jié)合能的大小,從而求出比結(jié)合能;放射性元素發(fā)生β衰變,變?yōu)樾碌脑兀瘜W(xué)性質(zhì)改變.
解答 解:A、為了解釋光電效應(yīng)現(xiàn)象,愛因斯坦建立了光子說,根據(jù)光電效應(yīng)方程Ekm=hv-W0知,光電子的最大初動能與入射光的頻率成線性關(guān)系,故A正確.
B、湯姆遜根據(jù)陰極射線在電場和磁場中的偏轉(zhuǎn)情況斷定,陰極射線的本質(zhì)是帶負電的粒子流,并測出了這種粒子的比荷,故B正確.
C、氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時,量子數(shù)增大,原子的能量增大,根據(jù)$k\frac{{e}^{2}}{{r}^{2}}=m\frac{{v}^{2}}{r}$知,電子的動能減小,故C錯誤.
D、中子和質(zhì)子結(jié)合成氘核,有質(zhì)量虧損,根據(jù)愛因斯坦質(zhì)能方程知,結(jié)合能$△E=({m}_{n}+{m}_{p}-{m}_{D}){c}^{2}$,則氘核的比結(jié)合能為$\frac{({m}_{n}+{m}_{p}-{m}_{D}){c}^{2}}{2}$,故D正確.
E、放射性元素發(fā)生β衰變,電荷數(shù)增1,則新核的化學(xué)性質(zhì)改變,故E錯誤.
故選:ABD.
點評 本題考查了光電效應(yīng)、比荷的測定、能級、愛因斯坦質(zhì)能方程、衰變等基礎(chǔ)知識點,關(guān)鍵要熟悉教材,牢記這些基本概念和基本規(guī)律,不能混淆.
科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 木塊A離開墻壁前,A、B和彈簧組成的系統(tǒng)動量守恒,機械能也守恒 | |
B. | 木塊A離開墻壁后,A、B和彈簧組成的系統(tǒng)動量不守恒,但機械能守恒 | |
C. | 木塊A離開墻壁前,A、B和彈簧組成的系統(tǒng)動量不守恒,但機械能守恒 | |
D. | 木塊A離開墻壁后,A、B和彈簧組成的系統(tǒng)動量不守恒,機械能不守恒 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實驗題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 沿x軸負方向 | B. | 沿y軸負方向 | C. | 沿z軸正方向 | D. | 沿z軸負方向 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 適當(dāng)增大轟炸機的速度,拋出點的高度升高 | |
B. | 適當(dāng)增大轟炸機的速度,拋出點的高度不變 | |
C. | 轟炸機的速度不變,適當(dāng)降低投彈的高度 | |
D. | 轟炸機的速度不變,適當(dāng)提高投彈的高度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0~x1過程中物體所受的拉力是全過程中的最小值 | |
B. | x1~x2過程中,物體加速度的方向一直豎直向上 | |
C. | x2~x3過程中,物體克服重力做功的功率一直增大 | |
D. | 0~x3過程中,物體的動能先增大后減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 轉(zhuǎn)臺對滑塊的摩擦力不做功 | |
B. | 轉(zhuǎn)臺對滑塊的摩擦力一直增大 | |
C. | 細繩對滑塊的拉力做正功 | |
D. | 當(dāng)轉(zhuǎn)臺對物塊支持力為零時,轉(zhuǎn)臺對物塊做的功為$\frac{mgLsi{n}^{2}θ}{2cosθ}$ |
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