【題目】市場(chǎng)上銷售的銅質(zhì)電線電纜產(chǎn)品中,部分存在導(dǎo)體電阻不合格問題,質(zhì)檢部門檢驗(yàn)發(fā)現(xiàn)一個(gè)是銅材質(zhì)量不合格,使用了再生銅或含雜質(zhì)很多的銅;再一個(gè)就是銅材質(zhì)量可能合格,但橫截面積較小。某興趣小組想應(yīng)用所學(xué)的知識(shí)來檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室中一捆銅電線的電阻率是否合格。小組成員經(jīng)查閱,純銅的電阻率為,F(xiàn)取橫截面積約為1 mm2、長度為100m(真實(shí)長度)的銅電線,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)量其電阻率,實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的器材如下:
A.電源(電動(dòng)勢(shì)約為5V,內(nèi)阻不計(jì));
B.待測(cè)長度為100m的銅電線,橫截面積約1 mm2;
C.電壓表V1(量程為3V,內(nèi)阻約為0.5 kΩ);
D.電壓表V2(量程為5V,內(nèi)阻約為3 kΩ);
E.電阻箱R(阻值范圍0~999.9Ω);
F.定值電阻
G.開關(guān)、導(dǎo)線若干。
(1)小組成員先用螺旋測(cè)微器測(cè)量該銅電線的直徑d,如圖甲所示,則_________mm。
(2)小組設(shè)計(jì)的測(cè)量電路如圖乙所示,則P是___________,N是____________,(填器材名稱及對(duì)應(yīng)符號(hào))通過實(shí)驗(yàn)作出的圖象如圖丙所示。
(3)圖乙電路測(cè)得銅電線的電阻測(cè)量值比真實(shí)值___________(選填“偏大”、“不變”或“偏小”),原因是_______________________________。
(4)這捆銅電線的電阻率______________(結(jié)果保留三位有效數(shù)字);從銅電線自身角度,你認(rèn)為電阻率大的可能原因是______________。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】圖甲為某同學(xué)研究自感現(xiàn)象的實(shí)驗(yàn)電路圖,用電流傳感器顯示各時(shí)刻通過線圈L的電流。電路中電燈的電阻R1=6.0 Ω,定值電阻R=2.0 Ω,AB間電壓U=6.0 V。開關(guān)S原來閉合,電路處于穩(wěn)定狀態(tài),在t1=1.0×10-3 s時(shí)刻斷開開關(guān)S,此時(shí)刻前后電流傳感器顯示的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖乙所示。則線圈L的直流電阻 RL=____;斷開開關(guān)后通過電燈的電流方向?yàn)?/span>____(選填“向左”或“向右”);在t2=1.6×10-3 s時(shí)刻線圈L中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小為____。
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【題目】(1)在“研究平拋物體運(yùn)動(dòng)”的實(shí)驗(yàn)中,可以描繪平拋物體運(yùn)動(dòng)軌跡和求物體的平拋初速度。實(shí)驗(yàn)簡要步驟如下:
A.讓小球多次從______________位置上滾下,記下小球穿過卡片孔的一系列位置;
B.安裝好器材,注意斜槽末端水平和平板豎直,記下斜槽末端O點(diǎn)和過O點(diǎn)的豎直線,檢測(cè)斜槽末端水平的方法是____________________________________。
C.測(cè)出曲線上某點(diǎn)的坐標(biāo)x 、y ,用v0 = ____________,算出該小球的平拋初速度,實(shí)驗(yàn)需要對(duì)多個(gè)點(diǎn)求v0的值,然后求它們的平均值。
D.取下白紙,以O(shè)為原點(diǎn),以豎直線為軸建立坐標(biāo)系,用平滑曲線畫平拋軌跡。
上述實(shí)驗(yàn)步驟的合理順序是____________只排列序號(hào)即可)。
(2)如圖所示,在“研究平拋物體運(yùn)動(dòng)”的實(shí)驗(yàn)中,用一張印有小方格的紙記錄軌跡,小方格的邊長L=1.25cm。若小球在平拋運(yùn)動(dòng)途中的幾個(gè)位置如圖中的a、b、c、d所示,則小球平拋的初速度的計(jì)算式為vo=______(用L、g表示),其值是_____(取g=9.8m/s2 ),小球在b點(diǎn)的速率是______。
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【題目】如圖甲分子固定在坐標(biāo)原點(diǎn) O,乙分子位于 x 軸上,甲分子對(duì)乙分子的作用 力與兩分子間距離的關(guān)系如圖中曲線所示,F>0 為斥力,F<0 為引力,a、b、c、 d 為 x 軸上四個(gè)特定的位置,現(xiàn)把乙分子從 a 處由靜止釋放,則( )
A. 乙分子從 a 到 b 做加速運(yùn)動(dòng), 由 b 到 c 做減速運(yùn)動(dòng)
B. 乙分子由 a 到 c 做加速運(yùn)動(dòng), 到達(dá) c 時(shí)速度最大
C. 乙分子由 a 到 b 的過程中, 兩分子間的分子勢(shì)能一直減少
D. 乙分子由 b 到 d 的過程中,兩分子間的分子勢(shì)能一直增加
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【題目】如圖甲是一定質(zhì)量的理想氣體由狀態(tài)A經(jīng)過狀態(tài)B變?yōu)闋顟B(tài)C的VT圖象。已知理想氣體在狀態(tài)A時(shí)的壓強(qiáng)是1.5×105 Pa。
(1)說出A→B過程中壓強(qiáng)變化的情形,并根據(jù)圖象提供的信息,計(jì)算圖甲中TA的值;
(2)請(qǐng)?jiān)趫D乙坐標(biāo)系中,作出該氣體由狀態(tài)A經(jīng)過狀態(tài)B變?yōu)闋顟B(tài)C的pT圖象,并在圖線相應(yīng)位置上標(biāo)出字母A、B、C。如果需要計(jì)算才能確定的有關(guān)坐標(biāo)值,請(qǐng)寫出計(jì)算過程。
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【題目】如圖所示,質(zhì)量為m、頂角為α的直角劈和質(zhì)量為M的正方體放在兩豎直墻和一水平面間,處于靜止?fàn)顟B(tài).若不計(jì)一切摩擦,則( )
A. 水平面對(duì)正方體的彈力大小為(M+m)g
B. 墻面對(duì)正方體的彈力大小為mg/tan α
C. 正方體對(duì)直角劈的彈力大小為mgcos α
D. 直角劈對(duì)墻面的彈力大小為mgsin α
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【題目】兩電荷量分別為q1和q2的點(diǎn)電荷放在x軸上的O、M兩點(diǎn),兩電荷連線上各點(diǎn)電勢(shì)φ隨x變化的關(guān)系如圖所示,其中A、N兩點(diǎn)的電勢(shì)為零,ND段中C點(diǎn)電勢(shì)最高,則()
A. C點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為零
B. A點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為零
C. NC間場(chǎng)強(qiáng)方向向x軸正方向
D. 將一負(fù)點(diǎn)電荷從N點(diǎn)移到D點(diǎn),電場(chǎng)力一直做正功
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【題目】某研究性學(xué)習(xí)小組欲測(cè)定一塊電池的電動(dòng)勢(shì)E和內(nèi)電阻r。
(1)用多用電表粗略測(cè)定該電池電動(dòng)勢(shì)E。在操作無誤的情況下,多用電表表盤示數(shù)如圖,該電池電動(dòng)勢(shì)E大小為________V。
(2)用電壓表V、電阻箱R、R0=45Ω的定值電阻、開關(guān)S、若干導(dǎo)線和該電池組成如圖所示的電路,精確測(cè)定該電池電動(dòng)勢(shì)E和內(nèi)電阻r。
(。└鶕(jù)電路圖,用筆畫線代替導(dǎo)線,將實(shí)物圖連接成完整電路________
(ⅱ)閉合開關(guān)S,調(diào)整電阻箱阻值R,讀出電壓表V相應(yīng)示數(shù)U。該學(xué)習(xí)小組測(cè)出多組R、U數(shù)據(jù),計(jì)算出相應(yīng)的與的值,用描點(diǎn)作圖法作出了如上圖所示圖線,從圖線中可知電源電動(dòng)勢(shì)E=________V;電源內(nèi)阻r=________Ω。
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【題目】2016年12月7日是我國發(fā)射“悟空”探測(cè)衛(wèi)星一周年的日子,該衛(wèi)星的發(fā)射為人類對(duì)暗物質(zhì)的研究做出了重大貢獻(xiàn)。假設(shè)兩顆質(zhì)量相等的星球繞其球心連線中心轉(zhuǎn)動(dòng),理論計(jì)算的周期與實(shí)際觀測(cè)的周期有出入,且,科學(xué)家推測(cè),在以兩星球球心連線為直徑的球體空間中均勻分布著暗物質(zhì),設(shè)兩星球球心連線長度為L,質(zhì)量均為m,據(jù)此推測(cè),暗物質(zhì)的質(zhì)量為( )
A. (n-1)m B. C. D.
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