如圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個電子變成為正一價的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電壓區(qū)(初速不計),加速后,再通過狹縫S2,S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ.最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S3的細(xì)線,若測得細(xì)線到狹縫S3的距離為d.
(1)導(dǎo)出分子離子質(zhì)量的表達(dá)式;
(2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡式,若某種含C,H和鹵素的化合物的M為48,寫出其結(jié)構(gòu)簡式;
(3)現(xiàn)有某種含C,H和鹵素的化合物,測得兩個M值,分別為64和66.試說明原因,并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式.
在推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時,可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:
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科目:高中物理 來源: 題型:038
圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個電子變成為正一價的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計),加速后,再通過狹縫S2、S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ.最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S2的細(xì)線,若測得細(xì)線到狹縫S3的距離為d.
。1)導(dǎo)出分子、離子的質(zhì)量m的表達(dá)式.
。2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48,寫出其結(jié)構(gòu)簡式.
。3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個M值,分別為64和66,試說明原因,并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式.在推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時,可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:
元素 |
H |
C |
F |
C1 |
Br |
含量較多的同 位素的質(zhì)量數(shù) |
1 |
12 |
19 |
35,37 |
79,81 |
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科目:高中物理 來源:新課標(biāo)高三物理第二輪復(fù)習(xí)講稿 人教版 人教版 題型:038
如圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖.設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個電子變成為正一價的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計),加速后,再通過狹縫S2、S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ,最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S3的細(xì)線,若測得細(xì)線到狹縫S3的距離為d.導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式.
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科目:高中物理 來源:江蘇南通地區(qū)2009高考物理第二輪復(fù)習(xí)教學(xué)案人教版 人教版 題型:038
如圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器——質(zhì)譜儀的工作原理示意圖.設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個電子成為正一價的離子.離子從狹縫S1以很小的速度(即初速度不計)進(jìn)入電壓為U的加速電場區(qū)加速后,再通過狹縫S2、S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ)中.最后,離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S3的細(xì)線.若測得細(xì)線到狹縫S3的距離為d.請導(dǎo)出離子的質(zhì)量m的表達(dá)式.
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科目:高中物理 來源: 題型:
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