A. | 進人磁場的過程線圈產(chǎn)生的熱量小于穿出磁場的過程線圏產(chǎn)生的熱量 | |
B. | 進人磁場的過程的時間等于穿出磁場的過程的時間 | |
C. | 進人磁場的過程與穿出磁場的過程,通過線圈橫截面的電荷量不相等 | |
D. | 進人磁場的過程與穿出磁場的過程所受的安培力方向相反 |
分析 分析線框所受的安培力,抓住安培力與速度成正比進行分析.根據(jù)楞次定律判斷安培力的方向.線框進入磁場過程做勻速運動,完全在磁場中運動時做勻加速運動,穿出磁場速度大于進入磁場的速度,線框?qū)⒆鰷p速運動,出磁場時大于或等于進入磁場時的速度,所用時間將縮短.根據(jù)功能關(guān)系分析熱量關(guān)系.由q=$\frac{△Φ}{R}$分析電荷量的關(guān)系.
解答 解:A、線框進入磁場時做勻速運動,完全在磁場中運動時磁通量不變,沒有感應(yīng)電流產(chǎn)生,線框不受安培力而做勻加速運動,穿出磁場時,線框所受的安培力增大,大于恒力F,線框?qū)⒆鰷p速運動,根據(jù)功能關(guān)系可知,進入磁場產(chǎn)生的熱量Q1=FL.穿出磁場過程,線框的動能減小,減小的動能轉(zhuǎn)化為內(nèi)能,則有FL+△Ek=Q2.故進入磁場過程中產(chǎn)生的內(nèi)能少于穿出磁場過程產(chǎn)生的內(nèi)能.故A正確.
B、進人磁場的過程線框做勻速運動,完全在磁場中做加速運動,穿出磁場的過程做減速運動,最小速度等于進入的速度,而兩個過程位移大小相等,所以進人磁場的過程的時間長于穿出磁場的過程的時間,故B錯誤.
C、由q=$\frac{△Φ}{R}$知,進人磁場的過程與穿出磁場的過程穿過線框的磁通量變化量相等,則通過線圈橫截面的電荷量相等,故C錯誤.
D、根據(jù)楞次定律:感應(yīng)電流阻礙導(dǎo)體與磁場間相對運動,可知,安培力方向均水平向左,方向相同.故D錯誤.
故選:A.
點評 本題考查分析線框的受力情況和運動情況的能力,關(guān)鍵是分析安培力,來判斷線框的運動情況,再運用功能關(guān)系,分析熱量關(guān)系.
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 太陽輻射的能量主要來自太陽內(nèi)部的輕核聚變 | |
B. | 輕核聚變與重核裂變均釋放能量 | |
C. | 原子核的比結(jié)合能越大表示該原子核越不穩(wěn)定 | |
D. | 實驗表明,只要照射光的強度足夠大,就一定能發(fā)生光電效應(yīng)現(xiàn)象 | |
E. | 放射性元素衰變的快慢只由核內(nèi)部自身的因素決定 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0° | B. | 30° | C. | 45° | D. | 60° |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 副線圈輸出電壓的頻率為50Hz | |
B. | 副線圈輸出電壓的有效值為5V | |
C. | P向左移動時,副線圈中的電阻R消耗的功率增大 | |
D. | P向左移動時,變壓器的輸入功率減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
R/Ω | 0.70 | 1.41 | 2.10 | 2.79 | 3.50 |
L/m | 0.100 | 0.200 | 0.300 | 0.400 | 0.500 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 從P至c過程中人的機械能守恒 | |
B. | 從P至c過程中重力所做的功等于人克服彈力所做的功 | |
C. | 從a至c過程中人的動能先增大后減小 | |
D. | 從a至c過程中人的加速度先減小后增大 |
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