如圖所示，由同種材料、粗細(xì)均勻的電阻絲制成邊長為的正方形線框，其總電阻為.現(xiàn)使線框以水平向右的速度勻速穿過一寬度為2、磁感應(yīng)強度為的勻強磁場區(qū)域，整個過程中、兩邊始終保持與磁場邊界平行.令線框的邊剛好與磁場左邊界重合時為零時刻，設(shè)，那么下圖中畫出的線框中、兩點間電勢差隨線框邊的位移變化的圖象正確的是?

 

C??

解析：當(dāng)邊切割磁感線時，是外電路的一部分，故其電壓，持續(xù)的距離為.當(dāng)邊也進(jìn)入磁場后，雖然閉合電路中無電流，但仍有感應(yīng)電動勢，故此時，持續(xù)時間為；當(dāng)穿出磁場后的過程中，為電源，此時為閉合電路的外電壓，即，且整個過程中，端電勢一直為正值，即＞0，故C項正確.

練習(xí)冊系列答案
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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，用同種材料制成一軌道，AB段為
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圓弧，半徑為R，水平段BC長也為R，一個質(zhì)量為m的物體與軌道間的動摩擦因數(shù)為μ，當(dāng)它從軌道的A點由靜止滑下運動至C恰好靜止，那么物體在AB段克服摩擦阻力做的功為（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，由同種材料制成的單匝正方形閉合導(dǎo)線框abcd位于豎直平面內(nèi)，其下方有一勻強磁場區(qū)域，該區(qū)域的上邊界水平，并與線框的ab邊平行，磁場方向與線框平面垂直．已知磁場的磁感應(yīng)強度為B，線框邊長為L，線框質(zhì)量為m，電阻為R．線框從磁場上方某高度處，由靜止開始下落，恰能勻速進(jìn)入磁場區(qū)域．求：
（1）當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場時，線框的速度大�。�
（2）線框在進(jìn)入磁場的過程中，通過導(dǎo)線橫截面的電荷量；
（3）分析線框進(jìn)入磁場過程中的能量轉(zhuǎn)化情況．

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科目：高中物理 來源：2014屆北京市東城區(qū)（南片）高二下學(xué)期期末考試物理試卷（解析版） 題型：計算題

如圖所示，由同種材料制成的單匝正方形閉合導(dǎo)線框abcd位于豎直平面內(nèi)，其下方有一勻強磁場區(qū)域，該區(qū)域的上邊界水平，并與線框的ab邊平行，磁場方向與線框平面垂直。已知磁場的磁感應(yīng)強度為B，線框邊長為L，線框質(zhì)量為m，電阻為R。線框從磁場上方某高度處，由靜止開始下落，恰能勻速進(jìn)入磁場區(qū)域。求：

（1）當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場時，線框的速度大�。�

（2）線框在進(jìn)入磁場的過程中，通過導(dǎo)線橫截面的電荷量；

（3）分析線框進(jìn)入磁場過程中的能量轉(zhuǎn)化情況。

 

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，由同種材料制成的單匝正方形閉合導(dǎo)線框abcd位于豎直平面內(nèi)，其下方有一勻強磁場區(qū)域，該區(qū)域的上邊界水平，并與線框的ab邊平行，磁場方向與線框平面垂直。已知磁場的磁感應(yīng)強度為B，線框邊長為L，線框質(zhì)量為m，電阻為R。線框從磁場上方某高度處，由靜止開始下落，恰能勻速進(jìn)入磁場區(qū)域。求：

（1）當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場時，線框的速度大�。�

（2）線框在進(jìn)入磁場的過程中，通過導(dǎo)線橫截面的電荷量；

（3）分析線框進(jìn)入磁場過程中的能量轉(zhuǎn)化情況。

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