解答:解:(1)正離子在兩金屬板間受到電場(chǎng)力而作勻加速直線運(yùn)動(dòng),離開電場(chǎng)后做勻速直線運(yùn)動(dòng),進(jìn)入磁場(chǎng)后受到洛倫茲力而做勻速圓周運(yùn)動(dòng),離開磁場(chǎng)后,離子又做勻速直線運(yùn)動(dòng),直到打在熒光屏上.
(2)設(shè)離子由電場(chǎng)射出后進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度為v.因離子是沿圓心O的方向射入磁場(chǎng),由對(duì)稱性可知,離子射出磁場(chǎng)時(shí)的速度方向的反向延長(zhǎng)線也必過(guò)圓心O.離開磁場(chǎng)后,離子垂直打在熒光屏上(圖中的O′點(diǎn)),則離子在磁場(chǎng)中速度方向偏轉(zhuǎn)了90°,由幾何知識(shí)可知,離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑
r′=R=10
cm①
設(shè)離子的電荷量為q、質(zhì)量為m,進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度為v有
由qvB=m
得
r′= ②
設(shè)兩金屬板間的電壓為U,離子在電場(chǎng)中加速,由動(dòng)能定理有:
qU=mv2③
而
=2×105C/kg ④
由②③兩式可得U=
⑤
代入有關(guān)數(shù)值可得U=30V,也就是電壓表示數(shù)為30V.
(3)因兩金屬板間的電壓越小,離子經(jīng)電場(chǎng)后獲得的速度也越小,離子在磁場(chǎng)中作圓周運(yùn)動(dòng)的半徑越小,射出電場(chǎng)時(shí)的偏轉(zhuǎn)角越大,也就越可能射向熒光屏的左側(cè).
由閉合電路歐姆定律有,I=
=1A.
當(dāng)滑動(dòng)片P處于最右端時(shí),兩金屬板間電壓最大,為U
max=I(R
1+R
2)=90V
當(dāng)滑動(dòng)片P處于最左端時(shí),兩金屬板間電壓最小,為U
min=IR
1=10V
兩板間電壓為U
min=10V時(shí),離子射在熒光屏上的位置為所求范圍的最左端點(diǎn),由②③可解得離子射出電場(chǎng)后的速度大小為v
1=2×10
3m/s,離子在磁場(chǎng)中做圓運(yùn)動(dòng)的半徑為r
1=0.1m.
此時(shí)粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后的徑跡如圖答2所示,O
1為徑跡圓的圓心,A點(diǎn)為離子能射到熒光屏的最左端點(diǎn).由幾何知識(shí)可得:
tan=
=
,所以α=60°
所以AO′=Htan(90°-α)=2×
10×cm=20cm
而兩板間電壓為U
max=90V時(shí),離子射在熒光屏上的位置為所求范圍的最右端點(diǎn),此時(shí)粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后的徑跡如圖答3所示,
同理由②③可解得離子射出電場(chǎng)后的速度大小為v
1=6×10
3m/s,離子在磁場(chǎng)中做圓運(yùn)動(dòng)的半徑為r
1=0.3m,或直接由⑤式求得r
2=0.3m
由幾何知識(shí)可得tan
==即β=120°
所以O(shè)′B=Htan(β-90°)=2×10
×cm=20cm
離子到達(dá)熒光屏上的范圍為以O(shè)′為中點(diǎn)的左右兩側(cè)20cm.
答:(1)正離子自S
1到熒光屏D的運(yùn)動(dòng)情況是正離子在兩金屬板間作勻加速直線運(yùn)動(dòng),離開電場(chǎng)后做勻速直線運(yùn)動(dòng),進(jìn)入磁場(chǎng)后做勻速圓周運(yùn)動(dòng),離開磁場(chǎng)后,離子又做勻速直線運(yùn)動(dòng),直到打在熒光屏上.
(2)如果正離子垂直打在熒光屏上,電壓表的示數(shù)30V.
(3)調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器滑片P的位置,正離子到達(dá)熒光屏的最大范圍是以O(shè)′為中點(diǎn)的左右兩側(cè)20cm.