如圖,在水平光滑桌面上,兩相同的矩形剛性小線圈分別疊放在固定的絕緣矩形金屬框的左右兩邊上,且每個小線圈都各有一半面積在金屬框內(nèi)。在金屬框接通你是正方向電流的瞬間
A.兩小線圈會有相互靠攏的趨勢 |
B.兩小線圈會有相互遠(yuǎn)離的趨勢 |
C.兩小線圈中感應(yīng)電流都沿順時針方向 |
D.左邊小線圈中感應(yīng)電流沿順時針方向,右邊小線圈中感應(yīng)電流沿逆時針方向 |
科目:高中物理 來源: 題型:單選題
ab、cd,兩棒用細(xì)線系住,勻強磁場的方向如圖甲所示.而磁感應(yīng)強度B隨時間t的變化如圖乙所示,不計ab、cd間電流的相互作用,則0到t0的時間內(nèi)細(xì)線中的張力變化為( )
A.由0到t0時間內(nèi)逐漸增大 | B.由0到t0時間內(nèi)逐漸減小 |
C.由0到t0時間內(nèi)不變 | D.由t0到t時間內(nèi)逐漸增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
如圖所示,在半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi),有勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B,方向垂直于圓平面(未畫出).一群比荷為的負(fù)離子以相同速率v0(較大),由P點在紙平面內(nèi)向不同方向射入磁場中發(fā)生偏轉(zhuǎn)后,又飛出磁場,最終打在磁場區(qū)域右側(cè)的熒光屏(足夠大)上,則下列說法正確的是(不計重力)( 。
A.離子在磁場中運動時間一定相等 |
B.離子在磁場中的運動半徑一定相等 |
C.由Q點飛出的離子在磁場中運動的時間最長 |
D.沿PQ方向射入的離子飛出時偏轉(zhuǎn)角最大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
半徑為a右端開小口的導(dǎo)體圓環(huán)和長為2a的導(dǎo)體直桿,單位長度電阻均為R0.圓環(huán)水平固定放置,整個內(nèi)部區(qū)域分布著豎直向下的勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B.桿在圓環(huán)上以速度v平行于直徑CD向右做勻速直線運動,桿始終有兩點與圓環(huán)良好接觸,從圓環(huán)中心O開始,桿的位置由θ確定,如圖所示.則( )
A.θ=0時,桿產(chǎn)生的電動勢為2Bav
B.θ= 時,桿產(chǎn)生的電動勢為 Bav
C.θ=0時,桿受的安培力大小為
D.θ=時,桿受的安培力大小為
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
如圖所示,在通電直導(dǎo)線下方,有一電子沿平行導(dǎo)線方向以速度v開始運動,則。 )
A.將沿軌跡I運動,半徑越來越小 | B.將沿軌跡I運動,半徑越來越大 |
C.將沿軌跡II運動,半徑越來越小 | D.將沿軌跡II運動,半徑越來越大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
兩根足夠長的光滑導(dǎo)軌豎直放置,間距為L,底端接阻值為R的電阻。將質(zhì)量為m的金屬棒懸掛在一個固定的輕彈簧下端,金屬棒和導(dǎo)軌接觸良好,導(dǎo)軌所在平面與磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場垂直,如圖所示。除電阻R外其余電阻不計,F(xiàn)將金屬棒從彈簧原長位置由靜止釋放。則
A.釋放瞬間金屬棒的加速度小于重力加速度g |
B.金屬棒向下運動時,流過電阻R的電流方向為b→a |
C.金屬棒的速度為v時,所受的安培力大小為 |
D.電阻R上產(chǎn)生的總熱量等于金屬棒重力勢能的減少 |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
如圖所示,直導(dǎo)線處于足夠大的勻強磁場中,與磁感線成θ=30°角,導(dǎo)線中通過的電流為I,為了增大導(dǎo)線所受的安培力,可采取下列四種辦法,其中不正確的是( )
A.增大電流I |
B.增加直導(dǎo)線的長度 |
C.使導(dǎo)線在紙面內(nèi)順時針轉(zhuǎn)30° |
D.使導(dǎo)線在紙面內(nèi)逆時針轉(zhuǎn)60° |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
矩形導(dǎo)線框abcd放在分布均勻的磁場中,磁場區(qū)域足夠大,磁感線方向與導(dǎo)線框所在平面垂直,如圖(甲)所示。在外力控制下線框處于靜止?fàn)顟B(tài)。磁感應(yīng)強度B隨時間變化的圖象如圖(乙)所示,t=0時刻,磁感應(yīng)強度的方向垂直導(dǎo)線框平面向里。在0~4s時間內(nèi),導(dǎo)線框ad邊所受安培力隨時間變化的圖象(規(guī)定向左為安培力正方向)應(yīng)該是下圖中的( )
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
如圖所示,有理想邊界的勻強磁場方向垂直紙面向外,磁感應(yīng)強度大小為B,某帶電粒子的比荷(電荷量與質(zhì)量之比)大小為k,由靜止開始經(jīng)電壓為U的電場加速后,從O點垂直射入磁場,又從P點穿出磁場.下列說法正確的是(不計粒子所受重力)
A.如果只增加U,粒子可以從dP之間某位置穿出磁場 |
B.如果只減小B,粒子可以從ab邊某位置穿出磁場 |
C.如果既減小U又增加B,粒子可以從bc邊某位置穿出磁場 |
D.如果只增加k,粒子可以從dP之間某位置穿出磁場 |
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