(16分)某裝置用磁場控制帶電粒子的運(yùn)動,工作原理如圖所示。裝置的長為 L,上下兩個相同的矩形區(qū)域內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B、方向與紙面垂直且相反,兩磁場的間距為d。裝置右端有一收集板,M、N、P為板上的三點(diǎn),M位于軸線OO′上,N、P分別位于下方磁場的上、下邊界上。在紙面內(nèi),質(zhì)量為m、電荷量為-q的粒子以某一速度從裝置左端的中點(diǎn)射入,方向與軸線成30°角,經(jīng)過上方的磁場區(qū)域一次,恰好到達(dá)P點(diǎn)。改變粒子入射速度的大小,可以控制粒子到達(dá)收集板上的位置。不計(jì)粒子的重力。

(1)求磁場區(qū)域的寬度h;
(2)欲使粒子到達(dá)收集板的位置從P點(diǎn)移到N點(diǎn),求粒子入射速度的最小變化量Δv;
(3)欲使粒子到達(dá)M點(diǎn),求粒子入射速度大小的可能值。

(1)h=()(1-);(2)Δv=);(3)vn)(2≤n<,n取整數(shù))

解析試題分析:(1)設(shè)帶電粒子在磁場中運(yùn)動的軌道半徑為r,依題意作出帶電粒子的運(yùn)動軌跡如下圖所示。

由圖中幾何關(guān)系有:L=3rsin30°+,h=r(1-cos30°)
解得:h=()(1-
(2)設(shè)帶電粒子初始入射速度為v1,改變速度后仍然經(jīng)過上方的磁場區(qū)域一次后到達(dá)N點(diǎn),此時速度的改變量最小,設(shè)為v2,粒子改變速度后,在磁場中運(yùn)動的軌道半徑為r′,帶電粒子的運(yùn)動軌跡如下圖所示。

由圖中幾何關(guān)系有:L=4r′sin30°+
根據(jù)牛頓第二定律和洛倫茲力大小公式有:qv1B=,qv2B=
粒子入射速度的最小變化量Δv=|v2-v1|
聯(lián)立以上各式解得:Δv=
(3)粒子可能從上方磁場出來后經(jīng)過M點(diǎn),也可能從下方磁場出來后經(jīng)過M點(diǎn),不妨假設(shè)粒子共n次經(jīng)過了磁場區(qū)域到達(dá)了M點(diǎn),此時在磁場中運(yùn)動的軌道半徑為rn,速度為vn,根據(jù)牛頓第二定律和洛倫茲力大小公式有:qvnB=
根據(jù)幾何關(guān)系有:L=2nrnsin30°+
解得:vn
由于粒子經(jīng)過上方的磁場區(qū)域一次,恰好到達(dá)P點(diǎn),因此粒子不可能只經(jīng)過上方一次射出后直接到達(dá)M點(diǎn),因此有:n≥2
又因?yàn),粒子必須能夠?jīng)過磁場改變其運(yùn)動速度的方向才能到達(dá)M點(diǎn),因此滿足n<
所以:vn)(其中2≤n<,且n為整數(shù))
考點(diǎn):本題主要考查了帶電粒子在有界磁場中的運(yùn)動問題,屬于中檔偏高題。

練習(xí)冊系列答案
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有一小段通電導(dǎo)線,長為1 cm,電流強(qiáng)度5 A,把它置于磁場中某點(diǎn),受到的安培力為0.1 N,則該點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B一定是(  )

A.B=2 T         B.B≤ 2 T
C. D.以上情況均可能

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(4分)將長度為0.2m、通有1A電流的直導(dǎo)線放入一勻強(qiáng)磁場中,電流與磁場的方向如圖所示。已知磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T,試求下列各圖中導(dǎo)線所受安培力的大小。

(1)F1 =     N (2)F2 =     N (3)F3 =     N (4)F4 =     N

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質(zhì)量為m,電荷量為q的帶電粒子以速率v0在勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,則粒子通過位移為m v0/qB時所用的最小時間是           。

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(19分)如圖所示,直線MN下方無磁場,上方空間存在勻強(qiáng)磁場,其邊界線是半徑為R的半圓,半圓外磁場方向相垂直于紙面向里,半圓內(nèi)磁場方向相垂直于紙面向外,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B。現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶負(fù)電微粒從P點(diǎn)沿半徑方向向左側(cè)射出,不計(jì)微粒的重力。P、O、Q三點(diǎn)均在直線MN上。求:

(1)若帶電微粒在磁場中運(yùn)動的半徑,求帶電微粒從P到Q的時間
(2)若帶電微粒在磁場中運(yùn)動的半徑,求帶電微粒從P到Q的時間

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(8分)質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示.離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零),經(jīng)加速電場(加速電場極板間的距離為d、電勢差為U)加速,然后垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動,最后到達(dá)記錄它的照相底片P上.設(shè)離子在P上的位置與入口處S1之間的距離為x。

(1)求該離子的荷質(zhì)比
(2)若離子源產(chǎn)生的是帶電量為q、質(zhì)量為m1和m2的同位素離子(m1>m2),它們分別到達(dá)照相底片上的P1、P2位置(圖中末畫出),求P1、P2間的距離△x。

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(20分)如圖,在直角坐標(biāo)系xOy平面內(nèi),虛線MN平行于y軸,N點(diǎn)坐標(biāo)(-l,0),MN與y軸之間有沿y軸正方向的勻強(qiáng)電場,在第四象限的某區(qū)域有方向垂直于坐標(biāo)平面的圓形有界勻強(qiáng)磁場(圖中未畫出)。現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為e的電子,從虛線MN上的P點(diǎn),以平行于x軸正方向的初速度v0射人電場,并從y軸上A點(diǎn)(0,0.5l)射出電場,射出時速度方向與y軸負(fù)方向成30°角,此后,電子做勻速直線運(yùn)動,進(jìn)人磁場并從圓形有界磁場邊界上Q點(diǎn)(l/6,-l)射出,速度沿x軸負(fù)方向。不計(jì)電子重力。求:

(1)勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度E的大?
(2)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。侩娮釉诖艌鲋羞\(yùn)動的時間t是多少?
(3)圓形有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域的最小面積S是多大?

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(22分)如圖所示,在兩塊水平金屬極板間加有電壓U構(gòu)成偏轉(zhuǎn)電場,一束比荷為帶正電的粒子流(重力不計(jì)),以速度vo =104m/s沿水平方向從金屬極板正中間射入兩板。粒子經(jīng)電場偏轉(zhuǎn)后進(jìn)入一具有理想邊界的半圓形變化磁場區(qū)域,O為圓心,區(qū)域直徑AB長度為L=1m,AB與水平方向成45°角。區(qū)域內(nèi)有按如圖所示規(guī)律作周期性變化的磁場,已知B0="0." 5T,磁場方向以垂直于紙面向外為正。粒子經(jīng)偏轉(zhuǎn)電場后,恰好從下極板邊緣O點(diǎn)與水平方向成45°斜向下射入磁場。求:
(1)兩金屬極板間的電壓U是多大?
(2)若T0 =0.5s,求t=0s時刻射人磁場的帶電粒子在磁場中運(yùn)動的時間t和離開磁場的位置。
(3)要使所有帶電粒子通過O點(diǎn)后的運(yùn)動過程中不再從AB兩點(diǎn)間越過,求出磁場的變化周期T0應(yīng)滿足的條件。

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(9分)如圖所示,勻強(qiáng)磁場寬L=30cm,B=3.34×10-3 T,方向垂直紙面向里,設(shè)一質(zhì)子以v0=1.6×105 m/s的速度垂直于磁場B的方向從小孔C射入磁場,然后打到照相底片上的A點(diǎn),質(zhì)子的質(zhì)量為1.67×10-27 kg;質(zhì)子的電量為1.6×10-19 C.求:

(1)質(zhì)子在磁場中運(yùn)動的軌道半徑r;
(2)A點(diǎn)距入射線方向上的O點(diǎn)的距離H;
(3)質(zhì)子從C孔射入到A點(diǎn)所需的時間t.(,結(jié)果保留1位有效數(shù)字)

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