核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強(qiáng)度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/㎏,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。

求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。

(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。

 

【答案】

 

【解析】(1)要粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場,則粒子的臨界軌跡必須要與外圓相切,軌跡如圖18所示

由圖中知

解得

所以粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度為

(2)當(dāng)粒子以V2的速度沿與內(nèi)圓相切方向射入磁場且軌道與外圓相切時,則以V1速度沿各方向射入磁場區(qū)的粒子都不能穿出磁場邊界,如圖19所示

由圖中知

所以所有粒子不能穿越磁場的最大速度

思路分析:本題需要從題目所給條件中分析主要內(nèi)容,結(jié)合問題作答.核聚變是核能利用的一種形式,已經(jīng)廣泛地被利用到核電站的建設(shè)當(dāng)中

試題點(diǎn)評:本題考查學(xué)生對題目條件和核聚變內(nèi)容的理解情況,難度較大

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置).如圖所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi).設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1,外半徑為R2,磁場的磁感強(qiáng)度為B,若被束縛帶電粒子的比荷為q/m,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度.求:
(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度.

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科目:高中物理 來源: 題型:

核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置).如圖5-6-18所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi).設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強(qiáng)度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/㎏,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度.
求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度.

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科目:高中物理 來源: 題型:

核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強(qiáng)度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/㎏,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。

求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。

(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。

 

 

 

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科目:高中物理 來源:2011-2012蚌埠二中高三12月月考物理試卷 題型:計(jì)算題

核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強(qiáng)度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/㎏,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。

求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。

(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。

 

 

 

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