分析 (1)粒子在電場(chǎng)中沿y軸方向做勻減速運(yùn)動(dòng),x軸方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)運(yùn)動(dòng)的合成與分解求得軌跡頂點(diǎn)的位置坐標(biāo);
(2)電場(chǎng)的上邊界為最大速度時(shí)對(duì)應(yīng)的軌跡方程(從出發(fā)到頂點(diǎn)部分),下邊界由不同速度的粒子頂點(diǎn)構(gòu)成的方程;
(3)粒子在同一點(diǎn)射出,根據(jù)粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的對(duì)稱性得出第一象限保留的電場(chǎng)區(qū)域面積,粒子在電場(chǎng)中水平方向的速度大小不變,故粒子運(yùn)動(dòng)最短時(shí)間對(duì)應(yīng)粒子速度最大時(shí)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間,根據(jù)速度時(shí)間關(guān)系求解即可.
解答 解:(1)初速度為v0的粒子到達(dá)頂點(diǎn)時(shí)
豎直方向:$\frac{qE}{m}t={v}_{0}sinθ$,
縱坐標(biāo)為:y=$\frac{{v}_{0}sinθ}{2}t$=$\frac{m({v}_{0}sinθ)^{2}}{2qE}$
水平方向:橫坐標(biāo)為:x=v0cosθ•t=$\frac{m{v}_{0}^{2}sinθcosθ}{qE}$
(2)每個(gè)粒子只要是在自己軌跡頂點(diǎn)出電場(chǎng),即可水平出射,即:電場(chǎng)區(qū)域的下邊界由所有粒子軌跡定點(diǎn)構(gòu)成,由(1)得:軌跡定點(diǎn)坐標(biāo)為:
y=$\frac{m({v}_{0}sinθ)^{2}}{2qE}$,x=$\frac{m{v}_{0}^{2}sinθcosθ}{qE}$,
因?yàn)槌跛俣葀0為變量參數(shù),故兩式消去v0得頂點(diǎn)軌跡(電場(chǎng)區(qū)域下邊緣)方程為:
$y=\frac{sinθ}{2cosθ}x$=$\frac{tanθ}{2}x$
電場(chǎng)區(qū)域上邊緣方程,為初速度為v0的粒子軌跡方程(從出發(fā)到頂點(diǎn)部分):
t時(shí)刻粒子坐標(biāo)為:x=v0tcsoθ,y=${v}_{0}tsinθ-\frac{qE}{2m}{t}^{2}$
兩式中消去時(shí)間t得:$y=xtanθ-\frac{qE}{2m{v}_{0}^{2}co{s}^{2}θ}{x}^{2}$
綜上:電場(chǎng)區(qū)域上邊界方程為:$y=xtanθ-\frac{qE}{2m{v}_{0}^{2}co{s}^{2}θ}{x}^{2}$
電場(chǎng)區(qū)域下邊界方程為:y=$\frac{tanθ}{2}x$
分布如圖所示:
(3)在電場(chǎng)中只受電場(chǎng)力運(yùn)動(dòng)的對(duì)稱性可知,要將所有已水平向右出射的粒子全部集中于P點(diǎn),只需將(2)中的電場(chǎng)區(qū)域關(guān)于x=$\frac{L}{2}$對(duì)稱過去即可.
因?yàn)槊總(gè)粒子水平方向一直都在做勻速直線運(yùn)動(dòng),且水平位移都為L(zhǎng),故水平速度最大的時(shí)間最短,即初速度為v0的粒子運(yùn)動(dòng)時(shí)間最短,最短時(shí)間為:
${t}_{min}=\frac{L}{{v}_{0}cosθ}$
公布如下圖所示:
答:(1)初速度為v0的粒子軌跡頂點(diǎn)坐標(biāo)為($\frac{m{v}_{0}^{2}sinθcosθ}{qE}$,$\frac{m({v}_{0}sinθ)^{2}}{2qE}$);
(2)若在第一象限部分區(qū)域保留電場(chǎng),其余部分電場(chǎng)都舍去,則可讓所有粒子通過保留電場(chǎng)區(qū)域后速度方向均沿x軸正方向.最小保留區(qū)域上邊界方程為$y=xtanθ-\frac{qE}{2m{v}_{0}^{2}co{s}^{2}θ}{x}^{2}$,下邊界方程為y=$\frac{tanθ}{2}x$,大致如上圖所示;
(3)若還要將(2)問中所有粒子匯聚在x軸上距原點(diǎn)O為L(zhǎng)(足夠遠(yuǎn))的P點(diǎn),在第一象限還應(yīng)保
留哪一部分面積最小的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域,請(qǐng)簡(jiǎn)要說明并在圖中大致畫出.保留必要的電場(chǎng)后,不同初速度的粒子從O運(yùn)動(dòng)到P的時(shí)間不同,這些時(shí)間中的最小值為$\frac{L}{{v}_{0}cosθ}$.
點(diǎn)評(píng) 弄清粒子在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)規(guī)律作出粒子可能的運(yùn)動(dòng)軌跡是正確處理問題的關(guān)鍵,注意粒子只在電場(chǎng)力作用下的對(duì)稱性是解決問題的關(guān)鍵.
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A. | 精密儀器外包有一層金屬外殼 | B. | 家用電器如洗衣機(jī)接有地線 | ||
C. | 手機(jī)一般裝有一根天線 | D. | 復(fù)印機(jī)復(fù)印圖片 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{ρI}{neS}$ | B. | $\frac{I}{neS}$ | C. | $\frac{ρI}{neSm}$ | D. | $\frac{mI}{neSρ}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | X1是質(zhì)子 | B. | X2是α粒子 | C. | X3是中子 | D. | X4是電子 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{1}{n}$ | B. | $\frac{1}{{n}^{2}}$ | C. | n | D. | n2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 它在第2s到第3s內(nèi)的平均速度的大小是5.0m/s | |
B. | 它在第1s內(nèi)的位移是2.0m | |
C. | 它的加速度大小是2.0m/s2 | |
D. | 它的初速度為零 |
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