(1)如圖所示的矩形線圈在勻強磁場中勻速轉(zhuǎn)動，產(chǎn)生的交流電在線圈平面經(jīng)過________時電流方向發(fā)生改變，線圈每轉(zhuǎn)一周________次經(jīng)過________，所以線圈每轉(zhuǎn)一周電流方向改變________次，出現(xiàn)________次峰值．

(2)圖中ad表示線圈的正視圖，它在勻強磁場中勻速轉(zhuǎn)動時產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢按正弦規(guī)律變化，峰值為250 V，則圖中位置時線圈中感應(yīng)電動勢的大小為________．

答案：(1)中性面,2,中性面,2,2;(2)125V
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示的矩形區(qū)域abcd內(nèi)有一個與此區(qū)域平面垂直的勻強磁場，已知矩形區(qū)域的邊長是ab=L，bc=1.73L．一帶電正粒子質(zhì)量為m，電量為q，從b點沿與bc成30°角方向射入該磁場區(qū)域后，經(jīng)時間t又從a點射出．現(xiàn)要加一平行與紙面的勻強電場，使上述粒子恰能從d點射出，不計重力，求磁場的方向和所加電場場強E的大小和方向．

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來源： 題型：

（2011?北京）利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用．如圖所示的矩形區(qū)域ACDG（AC邊足夠長）中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫．離子源產(chǎn)生的離子，經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應(yīng)的收集器收集．整個裝置內(nèi)部為真空．已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2（m1＞m2），電荷量均為q．加速電場的電勢差為U，離子進入電場時的初速度可以忽略．不計重力，也不考慮離子間的相互作用．
（1）求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1；
（2）當磁感應(yīng)強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距s；
（3）在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響，實際裝置中狹縫具有一定寬度．若狹縫過寬，可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域交疊，導(dǎo)致兩種離子無法完全分離．設(shè)磁感應(yīng)強度大小可調(diào)，GA邊長為定值L，狹縫寬度為d，狹縫右邊緣在A處．離子可以從狹縫各處射入磁場，入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場．為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離，求狹縫的最大寬度．

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用．
如圖所示的矩形區(qū)域ACDG（AC邊足夠長）中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫．離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應(yīng)的收集器收集．整個裝置內(nèi)部為真空．
已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2（m1＞m2），電荷量均為q．加速電場的電勢差為U，離子進入電場時的初速度可以忽略．不計重力，也不考慮離子間的相互作用．
（1）求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1；
（2）當磁感應(yīng)強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距．

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年黑龍江省高三上學(xué)期期末考試物理試卷（解析版） 題型：計算題

利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應(yīng)的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.

已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2)，電荷量均為q.加速電場的電勢差為U，離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力，也不考慮離子間的相互作用.

(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1；

(2)當磁感應(yīng)強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距.

 

查看答案和解析>>

同步練習冊答案