Question

半導(dǎo)體材料硅中摻砷后成為N型半導(dǎo)體，它的自由電子的濃度大大增加，導(dǎo)電能力也大大增加．一塊N型半導(dǎo)體的樣品的體積為a×b×c，A’、C、A、C’為其四個側(cè)面，如圖所示．已知半導(dǎo)體樣品單位體積中的電子數(shù)為n，電阻率為ρ，電子的電荷量為e．將半導(dǎo)體樣品放在勻強(qiáng)磁場中，磁場方向沿Z軸正方向，并沿x方向通有電流I．求：
（1）加在半導(dǎo)體A’A兩個側(cè)面的電壓是多少？
（2）半導(dǎo)體中的自由電子定向移動的平均速率是多少？
（3）C、C’兩個側(cè)面哪個面電勢較高？
（4）若測得C、C’兩面的電勢差為U，勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度是多少？

Answer 1

【答案】分析：（1）根據(jù)電阻定律和部分電路歐姆定律可以求出A、A′之間的電壓；
（2）由電流的微觀表達(dá)式：I=nesv，求出電子定向移動的速率；
（3）金屬導(dǎo)體中移動的是自由電子，當(dāng)電流的方向沿x方向時，電子向沿-x方向定向移動，受到洛倫茲力發(fā)生偏轉(zhuǎn)，根據(jù)電子偏轉(zhuǎn)到哪一表面判斷電勢的高低．
（4）當(dāng)電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時，根據(jù)電場力與洛倫茲力平衡，結(jié)合電流I=nevS，推導(dǎo)出U的大小與I和B以及元件厚度b之間的關(guān)系，即可求得磁感應(yīng)強(qiáng)度B．
解答：解：（1）沿x方向的電阻 R=
加在A、A′的電壓為 U=IR=
（2）電流I是大量自由電子定向移動形成的，由I=nabe得，電子的定向移動的平均速率為 =．
（3）自由電子在磁場中受洛倫茲力后，向C′側(cè)面方向偏轉(zhuǎn)，因此C′側(cè)面有多余的負(fù)電荷，C側(cè)面有多余的正電荷，建立了沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場，C側(cè)面的電勢較高．
（4）自由電子受到的洛倫茲力與電場力平衡時，有
  q=qB
則磁感應(yīng)強(qiáng)度 B==UnaeI
答：
（1）加在半導(dǎo)體A’A兩個側(cè)面的電壓是．
（2）半導(dǎo)體中的自由電子定向移動的平均速率是．
（3）C側(cè)面的電勢較高．
（4）若測得C、C’兩面的電勢差為U，勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度是．
點評：本題考查對霍耳效應(yīng)的理解和分析能力，關(guān)鍵掌握左手定則判定洛倫茲力的方向，知道最終電子受電場力和洛倫茲力處于平衡．