A. | 感受器受到刺激后,不一定產(chǎn)生興奮 | |
B. | 神經(jīng)細胞興奮部位膜內側陽離子的濃度低于外側 | |
C. | 神經(jīng)遞質與受體結合后,突觸后膜的電位不一定是外負內正 | |
D. | 腦中的高級中樞可以調控脊髓中的低級中樞 |
分析 膜電位的產(chǎn)生是由于膜內外各種離子的分布不均衡,以及膜在不同情況下,對各種離子的通透性不同所造成的.在靜息狀態(tài)下,細胞膜對K+有較高的通透性,而膜內K+又高于膜外,K+順濃度差向膜外擴散;細胞膜對蛋白質負離子(A-)無通透性,膜內大分子A-被阻止在膜的內側,從而形成膜內為負、膜外為正的電位差.這種電位差產(chǎn)生后,可阻止K+的進一步向外擴散,使膜內外電位差達到一個穩(wěn)定的數(shù)值,即靜息電位.細胞膜受刺激而興奮時,在靜息電位的基礎上,發(fā)生一次擴布性的電位變化,稱為動作電位.動作電位是一個連續(xù)的膜電位變化過程,波形分為上升相和下降相.細胞膜受刺激而興奮時,膜上Na+通道迅速開放,由于膜外Na+濃度高于膜內,電位比膜內正,所以,Na+順濃度差和電位差內流,使膜內的負電位迅速消失,并進而轉為正電位.這種膜內為正、膜外為負的電位梯度,阻止Na+繼續(xù)內流.當促使Na+內流的濃度梯度與阻止Na+內流的電位梯度相等時,Na+內流停止.簡言之,靜息時,K+外流,造成膜兩側的電位表現(xiàn)為內負外正;受刺激后,Na+內流,造成膜兩側的電位表現(xiàn)為內正外負.
位于脊髓的低級中樞受腦中相應的高級中樞的調控.
解答 解:A、刺激強度小于閾值不能引發(fā)電位產(chǎn)生,只有刺激強度達到一定的閾值才能產(chǎn)生動作電位,A正確;
B、動作電位時膜對Na+的通透性增加,Na+內流,使興奮部位膜內側陽離子濃度高于膜外側,表現(xiàn)為內正外負,B錯誤;
C、抑制性遞質與受體結合后,突觸后膜的電位還是外正內負,C正確;
D、位于脊髓內的低級中樞受腦中相應的高級中樞的調控,D正確.
故選:B.
點評 本題考查興奮的傳導和形成,難度一般,要求學生識記神經(jīng)調節(jié)的相關知識,考查學生對知識的識記和理解能力.
科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
A. | 染色體是基因的主要載體 | B. | 基因在染色體上呈線性排列 | ||
C. | 一條染色體上有多個基因 | D. | 一條染色體上只有一個基因 |
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科目:高中生物 來源:2015-2016學年江蘇省鹽城市高三上段考生物試卷(解析版) 題型:選擇題
(2015秋•鹽城校級月考)ATP在生物體的生命活動中發(fā)揮著重要的作用,下列有關ATP的敘述,正確的有( )
A.人體成熟的紅細胞、蛙的紅細胞、雞的紅細胞中均能合成ATP
B.ATP中的“A”與構成DNA、RNA中的堿基“A”不是同一物質
C.質壁分離和復原實驗中,質壁分離過程不消耗ATP,復原過程消耗ATP
D.ATP中的能量可以來源于光能、化學能,也可以轉化為光能和化學能
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
A. | 青霉菌與細菌之間存在互利共生的關系 | |
B. | 耐藥性菌群的形成是抗藥性基因頻率上升的結果 | |
C. | 細菌耐藥性是長期大量使用青霉素導致基因突變的結果 | |
D. | 細菌產(chǎn)生青霉素抗性基因后,該基因就會被保留不再發(fā)生丟失、突變 |
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
A. | 改變了原DNA的堿基排列順序 | |
B. | 改變了原DNA上各基因的堿基排列順序 | |
C. | 改變了原DNA上各基因的復制過程 | |
D. | 改變了原DNA上各基因的轉錄過程 |
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
組別 | 注射前 | 注射后 |
甲組 | 耗氧量平均值與乙組相同 | 耗氧量平均值明顯增加 |
乙組 | 含氧量平均值 | 耗氧量平均值無明顯變化 |
組別 | 注射前 | 注射后 |
甲組 | 兩組小鼠耗氧 量平均值相近 | 耗氧量平均值明顯增加 |
乙組 | 耗氧量平均值無明顯變化 |
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
A. | 與甲狀腺激素的調節(jié)有關 | B. | 與尾部細胞中的溶酶體有關 | ||
C. | 與基因突變改變遺傳信息有關 | D. | 與有關基因程序地表達有關 |
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