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科目: 來源: 題型:

下列各組物質(zhì)的晶體中,化學(xué)鍵類型相同、晶體類型也相同的是(  )

A.SO2和SiO2                                                         B.NaCl和HCl

C.CCl4和KCl             D.CO2和H2O

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科目: 來源: 題型:

A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1,B元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2,C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,D元素原子的M電子層的p亞層中有3個(gè)電子。

 、臗原子的電子排布式為_______,若A元素的原子最外層電子排布為1s1,則A與C按個(gè)數(shù)比1:1形成的化合物的電子式__________。

 、飘(dāng)n=2時(shí),B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為________,B與C形成的化合物的結(jié)構(gòu)式為___________。

  ⑶若A元素的原子最外層電子排布為2s1,B元素的原子價(jià)電子排布為3s23p2,元素A在周期表中的位置是__________,A、B、C、D四種元素的第一電離能由大到小的順序是 _____________________(用元素符號(hào)表示)。

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科目: 來源: 題型:

用帶靜電的有機(jī)玻璃棒靠近下列液體的細(xì)流,細(xì)流發(fā)生偏轉(zhuǎn)的是  (   )

  A、苯                     B、二硫化碳

  C、氯水                    D、四氯化碳

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科目: 來源: 題型:

下列說法中正確的是(  )

A、N- C的鍵長比N-N的鍵長小    

B、H2O鍵角是180°,NH3是平面三角形

C、H-H比H-F鍵長短,所以H-H鍵鍵能大  

D、C=C鍵鍵能比C-C鍵大,所以乙烯比乙烷更穩(wěn)定

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科目: 來源: 題型:

溴化碘(IBr)的化學(xué)性質(zhì)類似鹵素單質(zhì),能跟大多數(shù)金屬反應(yīng)生成金屬鹵化物,能跟某些非金屬單質(zhì)反應(yīng)生成相應(yīng)鹵化物,能跟水反應(yīng),其化學(xué)方程為IBr+H2OHBr+HIO,下列有關(guān)IBr的敘述中,錯(cuò)誤的是(  )?

A.固體IBr是分子晶體?

B.在很多反應(yīng)中IBr是強(qiáng)氧化劑?

C.IBr跟水反應(yīng)時(shí),它既是氧化劑又是還原劑?

D.跟NaOH溶液反應(yīng)生成NaBr和NaIO

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科目: 來源: 題型:

某物質(zhì)的實(shí)驗(yàn)式為PtCl4·2NH3,其水溶液不導(dǎo)電,加入AgNO3亦不產(chǎn)生沉淀,以強(qiáng)堿處理并沒有NH3放出,寫出它的配位化學(xué)式。

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在硼酸[B(OH)3]分子中,B原子與3個(gè)羥基相連,其晶體具有與石墨相似的層狀結(jié)構(gòu)。則分子中B原子雜化軌道的類型及同層分子間的主要作用力分別是  (    )

A.SP,范德華力  B.sp2,范德華力  C.sp2,氫鍵    D.sp3,氫鍵

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科目: 來源: 題型:

第三周期元素形成的單質(zhì)中,屬于原子晶體的是( 。

A.金剛砂            B.金剛石?      C.單晶硅            D.二氧化碳

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A、B、C、D、E分別代表五種短周期元素,且原子序數(shù)依次增大。已知B的最外

電子層是ns2npn+1;C的p亞層上未成對的電子比B少一個(gè),D的二價(jià)陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu);E與D同周期且E在該周期中原子半徑最;B與A能生成具有刺激性氣味的氣體。

(1)B核外電子排布式為__________________________。

(2)A與E化合時(shí)原子間以_____________鍵相結(jié)合,D與C化合時(shí)原子間以_____________鍵相結(jié)合。

(3)寫出A、C直接形成的化合物與E的單質(zhì)反應(yīng)的離子方程式_______________________。

(4)寫出B和D形成的化合物遇水時(shí)發(fā)生反應(yīng)的方程式______________________________。

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參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)有問題。

物  質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物  質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.4

-70.4

5.2

120

-70.4

-49.5

-36.2

-15

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的________________有關(guān),隨著________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_______________比________________熔點(diǎn)高。

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