下表實驗中“操作及現(xiàn)象”與“給定溶液”的性質(zhì)不對應的是

選項	溶液	操作及現(xiàn)象
A	Ca(OH)2溶液	通入CO2，溶液變渾濁。繼續(xù)通CO2至過量，渾濁消失。再加入足量NaOH溶液，又變渾濁。
B	溶液	通入CO2，溶液變渾濁。繼續(xù)通CO2至過量，渾濁消失。
C	Ca(ClO)2溶液	通入CO2，溶液沒有明顯變化。再滴入品紅溶液，紅色褪去。
D	CaCl2溶液	通入CO2，溶液沒有明顯變化。若同時通入CO2和NH3，則溶液變渾濁。

 

高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料，是制備半導體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物；c．有關物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

物質(zhì)	SiCl4	BCl3	AlCl3	FeCl3	PCl5
沸點/℃	57.7	12.8	—	315	—
熔點/℃	－70.0	－107.2	—	—	—
升華溫度/℃	—	—	180	300	162

 
請回答下列問題：
（1）儀器e的名稱為____________，裝置A中f管的作用是_______________________________________，其中發(fā)生反應的離子方程式為_____        ____________________________________    _______。
（2）裝置B中的試劑是____________。
（3）某學習小組設計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

方案	不足之處
甲
乙

 
（4）在上述（3）的評價基礎上，請設計一個合理方案：___________    ________                 。
（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是   （填寫元素符號）。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。
回答下列問題
（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋                          ；
（2）寫出晶片制絨反應的離子方程式                                   ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH^一反應，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應中氧化劑為                    。
（3）本�；瘜W興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

	實驗事實
事實一	水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。
事實二	盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。
事實三	普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。
事實四	在野外環(huán)境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點著后燜燒，可劇烈放出H2。
事實五	1g（0.036mo1）Si和20mL含有l(wèi)gNaOH（0.025mol）的溶液，小心加熱（稍微預熱），收集到約1700mL H2，很接近理論值（1600mL）。

 
結(jié)論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                劑；NaOH作              劑，降低反應            。高溫無水環(huán)境下，NaOH作              劑。
（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH₄）與氨氣（NH₃）在等離子體中反應。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應。下列關于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是               。
A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH₄能與水發(fā)生氧化還原反應生成H₂；
B．硅烷與氨氣反應的化學方程式為：3SiH₄+4NH₃＝Si₃N₄+12H₂↑，反應中NH₃作氧化劑；
C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應；
D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si₃N₄是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

硅被譽為無機非金屬材料的主角。下列物品用到硅單質(zhì)的是

A．陶瓷餐具

B．石英鐘表

C．計算機芯片

D．光導纖維

單晶硅是制作電子集成電路的基礎材料�？茖W家預計，到2014年一個電腦芯片上將會集成100億個晶體管，其功能遠比我們想象的要大的多，這對硅的純度要求很高。用化學方法可制得高純度硅，其化學方程式為 ： 
①SiO₂ + 2CSi  + 2CO
②Si + 2Cl₂SiCl₄
③SiCl₄ + 2H₂ Si + 4HCl
其中，反應①和③屬于

A．化合反應

B．分解反應

C．置換反應

D．復分解反應o

金剛石SiC具有優(yōu)良的耐磨、耐腐蝕特性，應用廣泛.
(1)碳與同周期元素Q的單質(zhì)化合僅能生成兩種常見氣態(tài)化合物，其中一種化合物H為非極性分子，碳元素在周期表中的位置是，Q是，R的電子式為.
(2)一定條件下，Na還原CCl₄可制備金剛石，反應結(jié)束冷卻至室溫后，回收CCl₄的實驗操作名稱為，除去粗產(chǎn)品中少量鈉的試劑為.
(3)碳還原制SiC,其粗產(chǎn)品中雜質(zhì)為Si和SiO₂.先將20.0g粗產(chǎn)品加入到過量的NaOH溶液中充分反應，收集到0.1mol氫氣，過濾得SiC固體11.4g，濾液稀釋到1L，生成氫氣的離子方程式為，硅酸鈉的物質(zhì)的量濃度為
(4)下列敘述正確的有(填序號)，
①Na還原CCl₄的反應、Cl₂與H₂O的反應均是置換反應②水晶、干冰熔化時克服粒子間作用力的類型相同③Na₂SiO₃溶液與SO₃的反應可用于推斷Si與S的非金屬性強弱
④鈉、鋰分別在空氣中燃燒，生成的氧化物中陰陽離子數(shù)目比均為1:2

在下列各溶液中通入足量CO₂氣體，最終有渾濁產(chǎn)生的（  ）
①飽和Na₂CO₃溶液；②澄清石灰水；③Ca(ClO)₂溶液；④CaCl₂溶液；⑤Na₂SiO₃溶液；⑥NaAlO₂溶液

A．全部

B．除①④外

C．除①②③④外

D．除②③④外

下列說法不正確的是

A．水玻璃可用作木材防火劑	B．硅是制造光導纖維的材料
C．硅是制造太陽能電池的常用材料	D．硅是構(gòu)成一些巖石和礦物的基本元素

高純硅生產(chǎn)流程如下：

（1）由SiO₂制粗硅的化學方程式是       ，該反應不能說明碳的非金屬性強于硅，原因是       ，請寫出一個能說明碳的非金屬性強于硅的化學方程式       。
（2）900℃以上，H₂與SiHCl₃發(fā)生反應：SiHCl₃(g)+ H₂(g)Si(s) + 3HCl(g)  ΔH＞0。將一定量的反應物通入固定容積的密閉容器中進行反應。下列說法正確的是      （填字母）。
a．在恒溫條件下，若容器內(nèi)壓強不變，則該反應一定達到化學平衡狀態(tài)
b．增大SiHCl₃的用量，可提高SiHCl₃的平衡轉(zhuǎn)化率
c．升高溫度可加快反應速率，且提高硅的產(chǎn)率
（3）該流程中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是       。

下列說法中，正確的是

A．水晶和陶瓷的主要成分都屬于硅酸鹽	B．單質(zhì)硅是制造光導纖維的材料
C．硅酸鈉是制備硅膠和木材防火劑的原料	D．工業(yè)上用鹽酸刻蝕玻璃