砷化鎵(GaAs)屬于第三代半導(dǎo)體，用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。推廣砷化鎵等發(fā)光二極管(LED)照明，是節(jié)能減排的有效舉措。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖。
試回答：
(1)As的核外電子排布式為_____________。
(2)砷化鎵晶胞中所包含的Ga原子個數(shù)為_____________。
(3)下列說法正確的是__________（填字母）。
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B．第一電離能：As> Ca
C．電負(fù)性：As> Ga
D．砷化鎵晶體中含有配位鍵
E．半導(dǎo)體GaP與CaAs互為等電子體
(4)砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃ 時制備得到。AsH3的空間形狀為____，(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為_____________。
(5) AsH3沸點比NH3低，其主要原因是__________________
(1)1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3
(2)4
(3)BCDE
(4)三角錐形；sp2
(5)NH3分子間能形成氫鍵，而AsH3分子間不能形成氫鍵
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價電子的軌道排布式為
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1
．
（2）下列說法正確的是
AC
AC
（選填序號）．
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga        D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由（CH3）3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是
非極性分子
非極性分子
（填“極性分子”或“非極性分子”）．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（4）如圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

Ga和As在一定條件下可以合成GaAs，GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越．多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽，其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
，As的原子結(jié)構(gòu)示意圖
．
（2）Ga的原子核外電子排布式為：
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．
（3）GaCl3和AsF3的空間構(gòu)型分別是：GaCl3
平面三角形
平面三角形
，AsF3
三角錐形
三角錐形
．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料SiC，其結(jié)構(gòu)跟金剛石相似，則SiC屬于
原子
原子
晶體，并寫出其主要的物理性質(zhì)
硬度大、熔點高
硬度大、熔點高
  （任2種）．
（5）第一電離能：As
＞
＞
Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化鋅的晶胞中（結(jié)構(gòu)如圖所示），硫離子的配位數(shù)是
4
4
．
（7）二氧化硒分子的空間構(gòu)型為
V形
V形
，寫出它的1個等電子體的分子式
O3（或SO2）
O3（或SO2）
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【選修3--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
砷化鎵（GaAs）屬于第三代半導(dǎo)體，用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%．推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措．請回答下列問題：
（1）寫出As基態(tài)原子的價電子排布式：
 
．
（2）As的第一電離能比Ga的
 
（填“大”或“小”，下同），As的電負(fù)性比Ga的
 
．
（3）比較As的簡單氫化物與同族第二、三周期元素所形成的簡單氫化物的沸點，并說明理由：
 
．
（4）GaAs的晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似，在GaAs晶體中，每個Ga原子與
 
個As原子相連，與同一個Ga原子相連的As原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
 
．在四大晶體類型中，GaAs屬于
 
晶體．
（5）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得，此反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
；已知（CH3）3Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化軌道類型為
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源：期末題 題型：填空題

光健康、太陽能、綠色節(jié)能、零排放等高科技點亮2010上海世博。
(1)世博園區(qū)外圍設(shè)置生態(tài)化停車場，有害尾氣被納米光觸媒涂料分解為無毒物質(zhì)，汽車尾氣中下列物質(zhì)中屬于由極性鍵構(gòu)成的非極性分子為____。
A．CO2 B．NO C．NO2 D．CO
(2)“一軸四館”中安裝了高亮度節(jié)能的陶瓷金鹵燈，金鹵燈中填充物通常包含Na、81Tl、49In、Sc、I等元素的單質(zhì)及化合物。有關(guān)說法正確的是____。
A．第ⅢA元素鉈和銦，第一電離能T1大于In
B．元素Sc位于周期表d區(qū)
C．鈉的熔點低，是因為金屬鍵較弱
D．I2溶于KI溶液，可產(chǎn)生I3-，由價層互斥理論可推知I3-呈直線形
(3)“東方之冠”（中國館）表面裝有7000多塊紅色鋁板，紅色鋁板為新型氟碳噴涂型材，一種氟碳涂層聚酯(FEP)，它的單體為CF3-CF=CF2，該分子中碳原子的雜化方式有____。
(4)上海城區(qū)大規(guī)模集中使用“21世紀(jì)綠色光源”LED半導(dǎo)體照明，LED晶片采用砷化鎵(GaAs)等材料組成。其中As原子在基態(tài)時外圍電子排布式為：_____。GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞中含鎵原子數(shù)為____。
(5)世博館廣泛采用了冰蓄冷空調(diào)。冰蓄冷空調(diào)采用液態(tài)化合物乙二醇(HOCH2CH2OH)介質(zhì)，乙二醇沸點高，是由于_______________________。

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