下列結論不正確的是
A粒子半徑:S>S2>Cl
B氫化物沸點:H2O>HF>HCl
C結合質子能力:OH>SiO>CO
D離子還原性:S2>I>Br
A
粒子半徑S小于它的離子,A錯;O、F元素的電負性較強,對應的氫化物含有氫鍵,由于水中氫鍵數(shù)目較多,且氫鍵作用力原大于分子間作用力,則有氫化物沸點:H2O>HF>HCl,B正確;水顯中性、酸性硅酸小于碳酸,因而結合質子能力C選項正確;非金屬性越強,其陰離子的還原性越弱,D正確。
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

X和Y兩種元素的核電荷數(shù)之和為22,X的原子核外電子數(shù)比Y的少6個。下列說法中不正確的是(  )
A.X的單質固態(tài)時為分子晶體B.Y的單質可以形成原子晶體
C.X與Y形成的化合物固態(tài)時為分子晶體D.X與碳形成的化合物為分子晶體

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

(12分)【化學—物質結構與性質】
已知:G、Q、R、T、X、Y、Z都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次增大。G的簡單陰離子最外層有2個電子,Q原子最外層電子數(shù)是內層電子數(shù)的兩倍,X元素最外層電子數(shù)與最內層電子數(shù)相同;T2R的晶體類型是離子晶體,Y原子基態(tài)3p原子軌道上有2個未成對電子,其單質晶體類型屬于分子晶體;在元素周期表中Z元素位于第11列。
回答下列問題:
(1)Z+的核外外圍電子排布式是_________________________________________________。
(2)X以及與X左右相鄰的兩種元素,其第一電離能由由大到小的順序為____________(填元素符號)。
(3)Q元素最高價氧化物的水化物分子中,Q原子采取________雜化,寫出與QR2互為等電子體的一種分子的化學式:____________________。
(4)分子式為G 2R、G 2Y的兩種物質中一種更穩(wěn)定,原因是________________________;Q的氯化物、T的氯化物、X的氯化物的熔點由低到高的順序是___(填化學式)。
(5)據(jù)報道,由Q、X、Z三種元素形成的一種晶體具有超導性,其晶體結構如下圖所示。晶體中距每個X原子周圍距離最近的Q原子有             

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

據(jù)報道,N4是一種形似白磷的分子,18O2是比黃金還貴重的物質。下列說法正確的是
A.18O216O2性質完全相同 B.N4=2N2是化學變化
C.N4和N2互為同位素   D.18O2中含18個中子

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

有M、X、Y、Z、W五種原子序數(shù)依次增大的短周期元素,其中M、Z同主族;X與M2具有相同的電子層結構;離子半徑:Z2>W(wǎng);Y的單質晶體熔點高、硬度大,是一種重要的半導體材料。下列說法正確的是
A.X、M兩種元素形成的化合物只能存在離子鍵
B.元素Y、Z、W形成的單質中,每1 mol它們的單質均含有NA個分子
C.由于W、Z、M元素的氫化物相對分子質量依次減小,所以其沸點依次降低
D.元素W和M的某些單質可作為水處理中的消毒劑

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:問答題

分)【化學選修
A-I為原子序數(shù)遞增的前4周期的元素,已知A原子的最外層電子是次外層電子數(shù)的2倍,D為周期表中電負性最大的元素,F(xiàn)與C位于同一主族,E與G在周期表的位置是上下相連,兩元素所在主族中所有元素都是金屬,H為應用最廣泛的金屬;I處于周期表中的第二副族。請回答下列問題:(以下問題中的所有原子都必須在上述元素中尋找)
(1)B單質分子中 鍵數(shù)目比為____。B、C、D第一電離能由小到大的順序為__________(填寫元素符號)。
(2)H元素原子的價層電子排布式為____,H3
子可以與上述元素中的三種形成的某陰離子生成血紅色
絡合物;該陰離子又與A-I元素中的某些原子形成的分
子互為等電子體,這種分子的化學式為____(寫一種即
可).該陰離子空間構型為____。
(3)D與G可以形成下圖的晶胞,則黑點表示的是元素____(填寫元素符號),該元素原子在該晶胞中的配位數(shù)為____.

(4)若將上述晶胞圓圈對應的原子所在上下兩層平面原子,按兩條相互垂直的對角線上各去掉該原子2個(共去掉4個),并將小點和圓圈對應的原子更改為另外兩種元素的原子,則這個晶胞化學式為____,若再將留下的所有原子換成另外一種新元素的原子,成為另外一種晶胞,該成鍵原子鍵角為    ;(5)已知,F(xiàn)單質晶體的原子堆積為ABAB型,那么,該晶體的空間利用率為____。如果F單質的摩爾質量為M,晶胞棱長為a,晶胞高度為c則,該晶體密度表達式為____。(阿伏加德羅常數(shù)用表示,不化簡)如果F的原子半徑為R,用R表示的晶胞高度為____。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

【物質結構與性質】
以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料目前已成為全球半導體研究的前沿和熱點;卮鹣铝袉栴}:
(1)鎵為元素周期表第31號元素,鎵原子價層電子排布圖為___________。
(2)氮所在主族中第一電離能最大的元素是________(填元素符號,下同),鎵所在主族中電負性最大的元素是____________________。
(3)傳統(tǒng)的氮化鎵制備方法是采用GaCl3與NH3在一定條件下反應,該反應的化學方程式為______________。
(4)氮化鎵與金剛石具有相似的晶體結構,氮化鎵中氮原子與鎵原子之間以____相結合,氮化鎵屬于_______晶體。
(5)下圖是氮化鎵的晶胞模型:
 
①氮化鎵中鎵原子的雜化方式為__________,氮原子的配位數(shù)為___________。
②氮化鎵為立方晶胞,氮化鎵的密度為d g/cm3。列出計算氮化鎵晶胞邊長a的表達式:a=_______cm。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下圖是部分短周期元素化合價與原子序數(shù)的關系圖,下列說法正確的是
A.原子半徑:Z>Y>X
B.氣態(tài)氫化物的還原性:W>R
C.WX3和水反應形成的化合物是離子化合物
D.含Z的鹽溶液一定顯示酸性

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

a、b、c、d、e五種短周期主族元素,在元素周期表中的相對位置如下表。b與d可以形成兩種常見的化合物,下列說法錯誤的是
 
 
a
b
 
c
 
 
d
e
A.元素c的氧化物具有兩性 
B.原子半徑的大小順序為:a>b>c>d>e
C.b元素在地殼中的含量居第一位 
D.元素d的非金屬性小于e

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